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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國立物質(zhì)材料研究所廖梅勇:n型
溝道
金剛石MOSFET的演示
評論 ?
2025-10-13 15:31
中國科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直
溝道
晶體管(CVFET)
評論 ?
2025-08-28 19:54
CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊:GaN和Ga2O3中的多維器件 超結(jié)、多
溝道
和FinFET
評論 ?
2025-05-14 15:21
武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的
溝道
溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
評論 ?
2025-02-14 14:46
揚(yáng)杰電子申請新型多級
溝道
SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利,方法制作工藝簡單
評論 ?
2024-10-29 18:01
揚(yáng)杰科技申請一種多導(dǎo)電
溝道
的平面柵 MOSFET 及制備方法專利,降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻
評論 ?
2024-09-19 17:07
北京大學(xué)申請多
溝道
GaN基HEMT專利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評論 ?
2024-06-03 16:44
北京大學(xué)申請多
溝道
GaN基HEMT專利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評論 ?
2024-04-30 16:27
北京大學(xué)申請p
溝道
氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利,實(shí)現(xiàn)電流密度的增加
評論 ?
2024-03-26 18:37
芯導(dǎo)科技申請TrenchMOSFET器件的自對準(zhǔn)的制備方法專利,進(jìn)一步縮小了接觸孔沿
溝道
方向尺寸
評論 ?
2024-02-28 17:32
北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利,能夠降低器件的
溝道
電阻
評論 ?
2024-02-06 14:15
東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N
溝道
功率MOSFET
評論 ?
2023-06-15 15:14
東芝推出采用最新一代工藝150V N
溝道
功率MOSFET大幅提高電源效率
評論 ?
2022-03-31 15:08
南科大馬俊在新型多
溝道
氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展
評論 ?
2021-08-06 17:33
如何在先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和自動駕駛 (AD) 應(yīng)用中使用雷達(dá)收發(fā)
駕駛
高性能
發(fā)射
演示
都是
溝道
評論 ?
2020-09-03 07:27
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