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應(yīng)用
盛合晶微半導(dǎo)體(江陰)
申請
3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利,實(shí)現(xiàn)高密度封裝
評論 ?
2024-09-04 14:55
中圖科技
申請
一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利
評論 ?
2024-08-30 17:55
西安奕斯偉材料
申請
用于外延設(shè)備的處理方法專利
評論 ?
2024-08-30 15:58
江蘇晶工
申請
擴(kuò)建30畝碳化硅相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)基地
評論 ?
2024-08-13 16:36
豪緯集團(tuán)
申請
一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利,有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率
評論 ?
2024-08-13 16:14
華羿微電
申請
高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利,降低功率器件制造成本
評論 ?
2024-08-05 17:20
應(yīng)用材料40億美元研發(fā)中心項(xiàng)目的美國芯片法案撥款
申請
遭拒
評論 ?
2024-08-01 10:45
華光光電
申請
一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利
評論 ?
2024-07-31 10:21
揚(yáng)杰科技
申請
降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利,降低 SiCMOSFET 柵極電容
評論 ?
2024-07-18 16:20
中芯集成-U
申請
MEMS 器件及其制備方法專利,避免大量自由電荷堆積在振膜中
評論 ?
2024-07-12 15:57
銀河微電
申請
SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計(jì)方法專利,設(shè)計(jì)效率高
評論 ?
2024-07-04 10:43
北京大學(xué)
申請
金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利,能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)
評論 ?
2024-07-01 16:06
長光華芯
申請
高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利,有效提高評估結(jié)果準(zhǔn)確度
評論 ?
2024-06-04 15:48
新瑞昕
申請
新三板掛牌:專注于高端精密線鋸及金剛石切削工具的研發(fā)與制造
評論 ?
2024-06-04 15:45
北京大學(xué)
申請
多溝道GaN基HEMT專利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評論 ?
2024-06-03 16:44
突發(fā)!封測大廠被
申請
破產(chǎn)清算
評論 ?
2024-06-03 11:32
晶合集成
申請
半導(dǎo)體專利,能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性
評論 ?
2024-05-30 09:37
萊特光電
申請
含氮化合物及有機(jī)電致發(fā)光器件和電子裝置專利
評論 ?
2024-05-10 10:00
北京大學(xué)
申請
多溝道GaN基HEMT專利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評論 ?
2024-04-30 16:27
廣電計(jì)量
申請
SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利,提高了老化效率,加速了雙極退化
評論 ?
2024-03-28 12:01
清華大學(xué)
申請
半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備專利
評論 ?
2024-03-27 14:29
北京大學(xué)
申請
p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利,實(shí)現(xiàn)電流密度的增加
評論 ?
2024-03-26 18:37
北京大學(xué)
申請
長波長InGaN基發(fā)光二極管專利,有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入
評論 ?
2024-03-25 10:36
華為公司
申請
半導(dǎo)體器件及其制備方法專利,降低半導(dǎo)體器件的功率損耗
評論 ?
2024-03-22 17:30
晶合集成
申請
半導(dǎo)體器件專利,提升半導(dǎo)體器件的性能
評論 ?
2024-03-13 19:17
長鑫存儲(chǔ)
申請
晶圓級封裝方法專利,提高晶圓封裝的良率
評論 ?
2024-03-12 17:52
比亞迪半導(dǎo)體
申請
終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利,能夠提高耐壓值
評論 ?
2024-03-08 15:13
北京大學(xué)
申請
大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利,提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率
評論 ?
2024-03-06 10:13
海信家電
申請
半導(dǎo)體裝置專利,降低半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)成本
評論 ?
2024-03-05 15:55
東微半導(dǎo)
申請
氮化鎵器件及其制造方法專利,提供一種氮化鎵器件
評論 ?
2024-03-05 13:51
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