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昕感科技申請一種終端復合結構及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

聯(lián)華電子申請半導體結構以及其形成方法專利，具有特定的結構和元件排列

南京南瑞半導體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進半導體申請半導體器件相關專利，使半導體器件獲得更好的散熱結構以及更低的電阻率

飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

中微半導體設備申請雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應方法專利

上海漢虹申請一種單晶爐碳化硅爐專用KF40電動蝶閥專利

重慶芯聯(lián)微電子申請掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

粵芯半導體申請光刻機對準方法專利，平衡晶圓中切割道與芯片的研磨速率

長鑫存儲申請半導體結構及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與制造方法專利，方法制作工藝簡單

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強型開關器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關

蘇州敏芯微電子申請力傳感器的封裝結構及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

蘇州高視半導體申請基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法專利，降低晶圓缺陷的檢測成本

中芯國際申請光刻機焦距監(jiān)控相關專利，實現(xiàn)在線焦距監(jiān)控且對產(chǎn)品晶圓圖形影響小

上海華虹宏力申請接觸孔自對準的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結構專利，采用封裝結構得到的 MOSFET 散熱性能佳

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側邊緣的生長速率相一致

格蘭菲申請功率半導體器件結構及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

廈門三安集成電路申請射頻功率放大器相關專利

忱芯科技申請碳化硅功率半導體器件的驅(qū)動板和測試方法專利

晶合集成申請一種半導體結構的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導體結構的良率

揚杰科技申請一種多導電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導電 MOSFET 導通電阻

浙江奧首材料科技申請一種用于半導體化合物光刻膠的剝離液專利，減少剝離液中的腐蝕

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結構及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

上海積塔半導體申請半導體結構相關專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結構

揚杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

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