據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告，華為技術有限公司申請一項名為“半導體器件及其制備方法“，公開號CN117747642A，申請日期為2022年9月。
專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制備方法，實現(xiàn)了第一電極層與外延層的歐姆接觸，減小了歐姆接觸的接觸電阻率，有助于減小半導體器件的導通電阻，進而降低半導體器件的功率損耗。半導體器件可以包括外延層、摻雜層、介質(zhì)層和第一電極層。其中，外延層和介質(zhì)層層疊設置。半導體器件設有第一凹槽，摻雜層和第一電極層的一部分可以層疊設置于第一凹槽內(nèi)部。
