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中科院半導體研究所張逸韻：玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延

河北半導體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所陳荔：基于藍寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫熱處理研究

中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項目開工

華東光電集成器件研究所展明浩：MEMS傳感器發(fā)展現(xiàn)狀及在自動駕駛中的應(yīng)用

上海電驅(qū)動電控研究院院長陳雷：功率半導體在新能源汽車電機控制器中的應(yīng)用

中科院半導體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用

西安電子科技大學劉志宏：面向移動SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

美國Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計及其熱學模型研究

關(guān)于國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2021年度公開指南項目安排公示的通知

北京大學物理學院楊學林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

西安電子科技大學王婷婷：基于金屬氮化物陽極的凹槽雙陽極SBD研究

南方科技大學深港微電子學院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進展

深圳大學微電子研究院劉新科：2寸獨立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢壘二極管

電子科技大學李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

廈門大學黃凱：紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究

港科技術(shù)（佛山）董國帥：峰值波長為 222nm 的遠紫外線KrCl準分子燈的活化能和壽命研究

中科院半導體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

西安交通大學王艷豐：大面積單晶金剛石及場效應(yīng)晶體管的研究

鄭州大學劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長研究綜述

鄭州大學Mussaab I. Niass：藍寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

艾歐史密斯（中國）陳小波：紫外殺菌技術(shù)在凈水器中的應(yīng)用研究

哈爾濱工業(yè)大學趙麗麗：低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究

復旦大學張園覽：基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究

中科院微電子所侯峰澤：高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)

佛智芯副總經(jīng)理林挺宇：先進封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用

啟迪半導體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜：第三代半導體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及進展

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