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中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所成功研制新型半導(dǎo)體柔性透明儲(chǔ)能器件

汽車半導(dǎo)體行業(yè)深度研究：硅含量拆解分析

捷捷微電最新調(diào)研情況：公司訂單排產(chǎn)至6月份，碳化硅器件尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段

LG與高通合作研發(fā) 5G 車載平臺擴(kuò)大在汽車行業(yè)的占有率

德國Fraunhofer ISE研發(fā)出用于中壓電網(wǎng)的250kW碳化硅逆變器

總投資6000萬美元，大族激光半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶蘇州

福建物構(gòu)所高性能層狀雜化鈣鈦礦鐵電半導(dǎo)體研究獲進(jìn)展

無懼高溫！日本研究開發(fā)基于GaN的MEMS諧振器

華為&比亞迪：車規(guī)級麒麟芯片研發(fā)中

我國在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重大突破

日本研發(fā)基于GaN的MEMS諧振器可用于車載應(yīng)用

北京：加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過程

晶瑞股份購買的二手光刻機(jī)到貨將用于研發(fā)高端光刻膠

微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得進(jìn)展

睿創(chuàng)微納入局高端特色芯片：擬2.6億投資設(shè)立半導(dǎo)體研究院

杭可科技：固態(tài)電池技術(shù)尚未成熟，仍處于科學(xué)研究階段

哈工大韓杰才院士團(tuán)隊(duì)在金剛石單晶領(lǐng)域取得重大科研突破

功率半導(dǎo)體行業(yè)研究：景氣向上，國產(chǎn)化替代正當(dāng)時(shí)

半導(dǎo)體材料碳化硅襯底研發(fā)生產(chǎn)商同光晶體完成B輪融資

南大光電自主研發(fā)第一只國產(chǎn)ArF光刻膠通過驗(yàn)證

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究

中國空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖：寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件

南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

中國電科十三所王元?jiǎng)偅焊咝阅蹽a2O3，SBD功率器件研究

上海光學(xué)精密機(jī)械研究所夏長泰:極寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵單晶摻質(zhì)之實(shí)踐與思考

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