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北京：加速第三代半導體等領域技術和產品的研發(fā)過程

日期：2021-01-20 來源：證券時報閱讀：356
核心提示：北京市副市長、秘書長靳偉20日表示，在補足短板方面，著力攻克重要領域關鍵的核心技術。一是推動集成電路產研一體突破。二是開展
 北京市副市長、秘書長靳偉20日表示，在補足短板方面，著力攻克重要領域關鍵的核心技術。一是推動集成電路產研一體突破。二是開展關鍵新材料的技術攻關，加速第三代半導體等領域技術和產品的研發(fā)過程。三是聚焦通用型的關鍵零部件，研發(fā)突破部分儀器的關鍵零部件。四是推動高端儀器設備研發(fā)實現(xiàn)突破，支持形成一批服務于重大的科技基礎設施的定制化的科學儀器和設備。
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