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進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破,基于無銥工藝成功制備4英寸(
010
)氧化鎵
進(jìn)化半導(dǎo)體
無銥工藝
制備
4英寸
010
氧化鎵
評論 ?
2025-12-23 14:04
新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸(
010
)面氧化鎵晶體
評論 ?
2025-10-14 21:08
新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(
010
)面氧化鎵單晶襯底
評論 ?
2025-06-11 10:49
新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(
010
)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸
評論 ?
2024-07-16 10:54
廣州科技貿(mào)易職業(yè)學(xué)院半導(dǎo)體分立器件和集成電路微系統(tǒng)組裝工競賽設(shè)備耗材項目(項目編號:GZCQC2200HG11
010
)招標(biāo)公告
評論 ?
2022-11-14 17:33
華為正研發(fā) 3nm 芯片,命名麒麟 9
010
華為
研發(fā)
3nm
芯片
麒麟
9010
評論 ?
2021-05-24 11:52
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