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2025云南晶體大會前瞻|中國科學院半導體所張韻：鎵體系半導體材料與集成電路發(fā)展展望

2025云南晶體大會前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學楊杰：III-V族和IV族半導體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會前瞻|鑫耀半導體韋華：VGF法磷化銦熱場優(yōu)化控制對單晶缺陷形成的影響

2025云南晶體大會前瞻|昆明云鍺李寶學：大尺寸紅外鍺單晶的研究進展

2025云南晶體大會前瞻|云南師范大學郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學特性研究

2025云南晶體大會前瞻|天科合達劉春?。捍蟪叽缣蓟枰r底和外延產(chǎn)業(yè)進展

2025云南晶體大會前瞻|浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心韓學峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學寧靜：超寬禁帶半導體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會前瞻|云南臨滄鑫圓鍺業(yè)包世濤：中國鍺產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與高質(zhì)量發(fā)展路徑展望

2025云南晶體大會前瞻|云南大學王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

華強電子網(wǎng)榮獲“2025年中國產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新企業(yè)”

2025云南晶體大會前瞻|云南大學史衍麗：1550nm InP/InGaAs 單光子探測器

2025云南晶體大會前瞻|南京大學修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設備技術(shù)研究

2025云南晶體大會前瞻|連科半導體胡動力：8/12吋碳化硅長晶爐技術(shù)進展及發(fā)展方向

2025云南晶體大會前瞻|中國科學院半導體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進展

2025云南晶體大會前瞻| 昆明理工大學鄧家云:磷化銦晶圓力學性能與加工性能研究

惠州雷曼入選2025年廣東省先進級智能工廠

2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進趨勢研究

綠色+AI雙管齊下金士頓閃亮2025深圳國際電子展

9月深圳，SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展打造30萬㎡“半導體+光電子”盛宴

會議通知 | 2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應用大會將于9月云南舉辦！

聚焦AI與綠色雙碳金士頓亮相2025深圳國際電子展

征文延期通知| IFWS & SSLCHINA 2025 征文進行時， IEEE收錄+EI檢索！

Wolfspeed最新參考設計將亮相2025世界電池及儲能產(chǎn)業(yè)博覽會

2025年新增批次海外優(yōu)青：中國科學院半導體研究所誠邀您申報

芯聯(lián)集成2025半年報解讀：主營收入同比增長近25%，單季度歸母凈利潤首次轉(zhuǎn)正

物元半導體首臺光刻機搬入，將于2025年四季度量產(chǎn)！

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