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進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破，基于無銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵

蘋果已啟動(dòng)24英寸iMac OLED面板的研發(fā)工作

寧波材料所開發(fā)出4英寸超薄、超低翹曲金剛石自支撐薄膜

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)：推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代！

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

國內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購廢標(biāo)公告

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購競爭性磋商公告

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

中國科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

瀚鎵半導(dǎo)體將在浦東建設(shè)4英寸GaN中試線

日本Novel Crystal宣布量產(chǎn)4英寸氧化鎵(Ga2O3) 晶圓

配備Mini-LED顯示屏的14英寸MacBook Pro預(yù)計(jì)將于2021年投入生產(chǎn)

好消息！在科研人員的不斷努力之下，碳化硅4英寸晶片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)！

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