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AlGaN基遠紫外光源芯片發(fā)光效率增強關鍵技術研究——第三代半導體技術十大進展成果推介

蘇州納米所孫錢團隊在氮化鎵低壓射頻器件領域取得新進展

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運行為研究和高效率器件研制

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結構堆垛研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調控

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

IFWS 2023│南京大學蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器的優(yōu)化設計及擊穿機理研究

CASICON西安站前瞻|AlGaN基深紫外LED局域化光電性能研究

CASICON 2023前瞻北京大學副教授許福軍：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究

【CASICON 2023】湖南大學半導體學院（集成電路學院）李陽鋒：原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產業(yè)化關鍵技術獲得立項

在納米圖案化藍寶石襯底（NPSS）上實現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

北京大學沈波、許福軍團隊在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進展

河北半導體研究所高楠：國產4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質量AlGaN/GaN HEMT材料

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN HEMTs

西交利物浦大學王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應用的MIS-HEMT

中山大學江灝：利用界面效應的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應用

挪威科學院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作為透明導電襯底的AlGaN納米線UV LED

【CASICON 2021】南京郵電大學張珺：基于人工神經網絡的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術

電子科技大學教授周琦：基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質結與混合陽極二極管技術的功率整流器與微波混頻器

廈門三安光電張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進展

北京大學教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術進展

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