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AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展成果推介

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運(yùn)行為研究和高效率器件研制

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

IFWS 2023│南京大學(xué)蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器的優(yōu)化設(shè)計(jì)及擊穿機(jī)理研究

CASICON西安站前瞻|AlGaN基深紫外LED局域化光電性能研究

CASICON 2023前瞻北京大學(xué)副教授許福軍：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究

【CASICON 2023】湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）李陽鋒：原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項(xiàng)

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實(shí)現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

北京大學(xué)沈波、許福軍團(tuán)隊(duì)在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進(jìn)展

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT

中山大學(xué)江灝：利用界面效應(yīng)的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應(yīng)用

挪威科學(xué)院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作為透明導(dǎo)電襯底的AlGaN納米線UV LED

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

電子科技大學(xué)教授周琦：基于超薄勢(shì)壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽極二極管技術(shù)的功率整流器與微波混頻器

廈門三安光電張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展

北京大學(xué)教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進(jìn)展

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