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華微電子:積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體器件技術

日期:2022-10-28 閱讀:241
核心提示:華微電子近日在回答投資者提問時表示,公司積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體器件技術,具備推動產(chǎn)業(yè)向智能化轉(zhuǎn)型升級的技

華微電子近日在回答投資者提問時表示,公司積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體器件技術,具備推動產(chǎn)業(yè)向智能化轉(zhuǎn)型升級的技術研發(fā)能力與產(chǎn)品國產(chǎn)化替代能力。目前已完成650V-1200V、5A-40ASiC SBD產(chǎn)品開發(fā),在快充、光伏、大功率電源領域開始示范性應用;同時推出65W快充用650VGaN器件,產(chǎn)品效率與國際水平相當。

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