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南京郵電大學唐為華教授團隊:MOCVD氧/鎵前驅(qū)配比對κ-Ga?O?異質(zhì)外延生長的影響
南京郵電大學
氧化鎵
半導體
創(chuàng)新中心
IC-GAO
唐為華
κ-Ga2O3
薄膜
外延
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2026-01-13 14:22
南京郵電大學氧化鎵創(chuàng)新中心(
IC-GAO
)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破
評論 ?
2023-05-11 09:47
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