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CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施?。?span id="ycststq" class="highlight">SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進展

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展

揚杰科技10億元SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項目開工

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

英飛凌推出SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會：面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK?功率模塊

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

意法半導(dǎo)體：未來3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研發(fā)和建設(shè)

天岳先進SiC單晶項目即將投產(chǎn)

士蘭微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計將于2025年上量

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

聞泰科技：公司預(yù)計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”征求意見

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時簡化設(shè)計

總投資約70億！蘇州又一碳化硅（SiC）項目建成

瞻芯電子推出1200V SiC 半橋1B封裝模塊，助力高頻高效應(yīng)用

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

浙江大學(xué)任娜：基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢壘肖特基二極管|CASICON重慶站

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