報(bào)告要點(diǎn)：

1）IGBT供需改善，或?qū)⑦M(jìn)入回暖階段。IGBT出貨量變價(jià)改善，24Q2回歸正向增長(zhǎng)，行業(yè)性衰退進(jìn)入尾聲，IGBT價(jià)格自24Q1同比下滑幅度接近30%，當(dāng)前處于較為穩(wěn)定狀態(tài)，供需結(jié)構(gòu)趨于平衡，IGBT價(jià)格已經(jīng)進(jìn)入相對(duì)底部，供需結(jié)構(gòu)的改善或有可能帶動(dòng)IGBT價(jià)格進(jìn)入回暖階段及出貨量的持續(xù)提升。

2）中國(guó)IGBT自給率提升，碳化硅產(chǎn)能加速帶動(dòng)價(jià)格下滑。中國(guó)IGBT廠商產(chǎn)能持續(xù)提升，但自給率水平相對(duì)較低，隨著中國(guó)廠商擴(kuò)產(chǎn)和技術(shù)突破，憑借不弱的性能表現(xiàn)和較高的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)，自給率將逐步提高。2024年碳化硅行業(yè)或?qū)⑦M(jìn)入供過(guò)于求階段，產(chǎn)能增速較需求增速更快。海外大廠產(chǎn)能方面，2025年預(yù)計(jì)將成為8英寸襯底產(chǎn)能釋放的重要節(jié)點(diǎn)，Wolfspeed、Rohm、Onsemi均計(jì)劃在2025年前后實(shí)現(xiàn)8英寸SiC襯底的量產(chǎn)。中國(guó)產(chǎn)能方面，2024H1產(chǎn)能較2022年提升3倍，雖目前主要產(chǎn)能仍以6英寸為主，但士蘭微、三安光電等頭部企業(yè)已開(kāi)始進(jìn)軍8英寸。在產(chǎn)能集中釋放、工藝持續(xù)優(yōu)化及8英寸產(chǎn)線升級(jí)等因素下，市場(chǎng)由結(jié)構(gòu)性緊缺轉(zhuǎn)向供給過(guò)剩，推動(dòng)碳化硅價(jià)格將持續(xù)下滑，中國(guó)產(chǎn)能釋放快于全球水平，預(yù)計(jì)2028年將較全球均價(jià)形成900-1000元的顯著價(jià)差。

3）中低端車(chē)型提振IGBT需求，800V平臺(tái)滲透提升帶動(dòng)SiC加速上車(chē)。2025年新能源汽車(chē)銷(xiāo)量和滲透率持續(xù)攀高，中低端車(chē)型受競(jìng)爭(zhēng)激烈?guī)?dòng)價(jià)格下沉，及智能駕駛下沉中低端車(chē)型市場(chǎng)，將有望帶動(dòng)IGBT在汽車(chē)上的出貨需求。隨著30萬(wàn)以上純電動(dòng)車(chē)型比重提升、400V向800V升級(jí)，疊加碳化硅整體成本持續(xù)下降，將推動(dòng)碳化硅模組在中高端車(chē)型上的滲透率持續(xù)提升。未來(lái)隨著碳化硅襯底產(chǎn)能和良率的提升，疊加8英寸襯底量產(chǎn)，成本持續(xù)下降，預(yù)計(jì)2026年碳化硅模組與IGBT模組的價(jià)差從2-3倍收窄至1.5倍以下，屆時(shí)將有望打開(kāi)規(guī)?；瘧?yīng)用空間。

建議關(guān)注

斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、士蘭微、華潤(rùn)微、三安光電、捷捷微電、揚(yáng)杰科技、新潔能、東微半導(dǎo)

風(fēng)險(xiǎn)提示

上行風(fēng)險(xiǎn)：下游景氣度加速提升；IGBT價(jià)格加速回暖；各廠商產(chǎn)能釋放加速。