近日，杭州立昂微電子股份有限公司（以下簡稱“立昂微”）發(fā)布公告，投資5億元在浙江海寧市設子公司，海寧立昂東芯微電子有限公司（暫定名，以下簡稱“海寧公司”）。專項負責推進、實施微波射頻集成電路芯片項目。
 

據(jù)公告稱，該項目選址在海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)東區(qū)紅獅產業(yè)園地塊，總用地約200畝，項目總投資約 43 億元，其中設備投資 36.05 億，土地及生產、動力、環(huán)境等各類廠房投資 3.8 億， 流動資金和其他配套投資 3.15 億。

值得注意的是，該項目建成后預計年產 36 萬片 6 英寸砷化鎵/氮化鎵微波射頻集成電路芯片。其中包括年產 18 萬片砷化鎵 HBT 和 pHEMT 芯片，年產 12 萬片垂直腔面發(fā)射激光器 VCSEL 芯片，年產 6 萬片氮化鎵 HEMT 芯片。
 

該項目由海寧公司在五年內分階段實施，其中第一階段工程 18 萬片/年，第二階段工程 18 萬片/ 年。