為緊抓化合物半導體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)機遇，進一步發(fā)揮珠海產(chǎn)業(yè)及應(yīng)用市場優(yōu)勢，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）將于2025年12月6-7日在珠海高新區(qū)香山會議中心組織召開首屆“大灣區(qū)化合物半導體應(yīng)用生態(tài)大會”。會議設(shè)有開幕大會和化合物半導體材料論壇、化合物半導體功率器件與應(yīng)用論壇、化合物半導體芯片與封裝論壇、化合物半導體光電應(yīng)用創(chuàng)新論壇大會在內(nèi)四場平行論壇，將圍繞國家重大戰(zhàn)略和第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展需求，邀請重量級專家、學者及產(chǎn)業(yè)鏈重點企業(yè)代表深入探討上下游協(xié)同發(fā)展中的問題，為新時期化合物半導體技術(shù)突破及產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略提供建議。

屆時，中國科學院半導體研究所研究員趙有文將出席論壇，并將在“化合物半導體材料論壇 ”分享《磷化銦半導體晶體材料生長進展》的主題報告，敬請關(guān)注！  

嘉賓簡介

趙有文，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師，珠海鼎泰芯源晶體有限公司首席科學家。長期從事磷化銦、銻化鎵、砷化銦等III-V族化合物多晶合成技術(shù)、低位錯單晶生長技術(shù)、襯底制備技術(shù)、材料缺陷、雜質(zhì)、物性及其在光電子和微電子外延材料生長和器件應(yīng)用研究。帶領(lǐng)中科院半導體所技術(shù)團隊開展長期的技術(shù)研發(fā)，實現(xiàn)磷化銦和銻化鎵單晶生長及襯底制備技術(shù)成果的產(chǎn)業(yè)化。近10年來先后開展了寬禁帶半導體氧化鋅和氮化鋁單晶材料的氣相法生長技術(shù)和材料性質(zhì)；低成本太陽能級多晶硅提純技術(shù)； CuInSe2, CuInGaSe2等薄膜太陽電池用基礎(chǔ)材料的合成與性能等研究工作。研究方向和內(nèi)容包括：大尺寸單晶InP、GaSb、InAs的LEC和VGF熔體生長技術(shù)；化學氣相傳輸CVT法生長ZnO單晶和物理氣相傳輸PVT法生長AlN單晶；晶體摻雜與電學性能；高溫退火及擴散對缺陷的影響；單晶的電學和光學性質(zhì)；單晶的深能級缺陷；缺陷對晶體完整性的影響；缺陷形成機理及抑制途徑、襯底表面缺陷、外延缺陷成因等。承擔完成國家科技攻關(guān)項目、國防科研項目、自然科學基金項目、院地合作項目等累計50余項。在國際、國內(nèi)核心學術(shù)刊物上發(fā)表論文近150余篇，獲國防科學與技術(shù)進步獎一等獎一項、國家級科學與技術(shù)進步獎二等獎一項、安徽省高校自然科學一等獎和省自然科學二等獎各一項，申請專利數(shù)十項。 

報告摘要

InP單晶襯底是制造波長1.3-1.55mm的激光器和探測器、光芯片以及毫米波異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 （HBT）及低噪聲單片電路的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，廣泛用于高速互聯(lián)網(wǎng)光纖通信、5G移動通信、衛(wèi)星微波通信、紅外探測等領(lǐng)域。磷化銦也是公認的太赫茲器件和電路的首選材料之一。近幾年來， 隨著人工智能技術(shù)和光通信技術(shù)的發(fā)展和迭代升級，大尺寸InP單晶襯底的市場需求顯著增長，產(chǎn)品質(zhì)量標準不斷提高，對磷化銦單晶生長技術(shù)和襯底表面制備技術(shù)提出了更高的要求。 

報告將介紹磷化銦單晶生長技術(shù)和襯底制備技術(shù)發(fā)展歷程和現(xiàn)狀。重點介紹了垂直溫度梯度凝固法（VGF）生長6英寸低位錯摻鐵和摻硫磷化銦單晶的技術(shù)進展和襯底優(yōu)異的性能。圍繞VGF生長磷化銦單晶存在的固有缺陷及其對襯底性能的影響，分析了VGF技術(shù)存在的問題及面臨的挑戰(zhàn)。討論了VGF-InP單晶襯底的特性及其在光器件、模塊及微波器件電路等行業(yè)的市場應(yīng)用情況及發(fā)展趨勢。

附：化合物半導體材料論壇日程

會議內(nèi)容 

會議主題：“中國‘芯’基地，灣區(qū)‘芯’未來”

會議時間：2025年12月6日（周六）-7日（周日）

會議地點：珠海高新區(qū)香山會議中心 

會議整體安排