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總投資8.5億元!山東臨沂羅莊區(qū)三個第三代半導體項目列為市重大項目

日期:2021-04-28 來源:第三代半導體產業(yè)網作者:casmita閱讀:1504
核心提示:,臨沂市人民政府公布了2021年市220個重大項目名單。
近日,臨沂市人民政府公布了2021年市220個重大項目名單,羅莊區(qū)鎵數(shù)大型設備HVPE生產氮化鎵(GaN)襯底設備項目、利浦電子第三代半導體氮化鎵(GaN)UV-深紫外LED項目、冠杰電子碳化硅功率器件生產項目榜上有名。

據(jù)了解,2020年7月16日,房德科創(chuàng)·臨沂新材料產業(yè)園舉辦了山東鎵數(shù)智能科技項目、山東利浦電子科技項目、山東冠杰電子科技項目產業(yè)項目開工儀式。
 
其中,山東鎵數(shù)智能科技有限公司大型裝備HVPE生產氮化鎵(GaN)襯底設備項目:位于山東省臨沂市羅莊區(qū)經濟轉型產業(yè)基地房德科創(chuàng)園11棟樓,主要產品為氮化鎵4〞×3片HVPE生長設備。項目租賃廠房面積為2400m2,規(guī)劃建設生產車間(包括HVPE生產線潔凈室、HVPE生長演示室)、倉庫、辦公及配套用房(包括行政辦公、研發(fā)中心),將建設成為集節(jié)能、高效、便捷、優(yōu)美、安全的產業(yè)示范區(qū)。項目總投資5000萬元,其中固定資產投資3800萬元,建設的HVPE潔凈室滿足class1000級無菌潔凈車間,設備生產組裝廠房滿足class10000級。項目投產后,可年產大型HVPE設備20臺,達到設計產能后年營業(yè)收入為1.3億元,達產后年稅收2358.3萬元。
 
山東利物浦電子科技有限公司利浦電子第三代半導體氮化鎵(GaN)UV-深紫外LED項目:2020年5月21日,羅莊區(qū)區(qū)政府與江西利浦微電子科技有限公司總經理陳逸樺就第三代半導體器件生產項目進行簽約;第三代半導體器件生產項目由江西利浦微電子科技有限公司投資,總投資3億元,項目落戶于傅莊街道房德科創(chuàng)產業(yè)園,廠房面積6500平方米,主要生產第三代半導體器件。
 
山東冠杰電子科技有限公司碳化硅功率器件生產項目:2020年7月2日,羅莊區(qū)政府副區(qū)長、財政局長張其偉代表區(qū)政府與山東冠杰電子科技有限公司董事長蔡明挽就碳化硅功率器件生產項目合作事宜簽訂協(xié)議。碳化硅功率器件生產項目總投資5億元,擬選址羅莊區(qū)經濟轉型產業(yè)基地房德科創(chuàng)園,廠房面積7600平方米,該生產基地計劃年產碳化硅功率器件、橋式整流器、場效應管、肖特基整流器、快恢復整流器等器件10萬件。項目建成后將是一個產業(yè)特色鮮明、服務功能齊全、基礎設施完善、生產環(huán)境優(yōu)美、環(huán)保要求達標的碳化硅功能器件生產基地。
 
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