半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：在第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的浪潮中，氧化鎵作為超寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料正成為高校院所科研攻關(guān)的重點(diǎn)方向。為破解科研階段長(zhǎng)晶設(shè)備“適配性窄、精準(zhǔn)度不足、操作復(fù)雜”等痛點(diǎn)，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研級(jí)VB法長(zhǎng)晶設(shè)備，專為2-6英寸氧化鎵科研場(chǎng)景量身打造，以全自主核心技術(shù)助力科研工作者在長(zhǎng)晶、摻雜、缺陷控制及材料性能優(yōu)化等領(lǐng)域高效探索。“SCIENCE系列”科研級(jí)VB法長(zhǎng)晶設(shè)備現(xiàn)已開放新品預(yù)訂，誠(chéng)邀各大高校、科研機(jī)構(gòu)與我們攜手，共同探索氧化鎵的應(yīng)用潛能，共創(chuàng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新價(jià)值！

科研級(jí)配置，解鎖研究無(wú)限可能

“SCIENCE系列”科研級(jí)VB法長(zhǎng)晶設(shè)備依托鎵仁半導(dǎo)體多年氧化鎵產(chǎn)業(yè)化技術(shù)沉淀，在穩(wěn)定性、精準(zhǔn)度和兼容性上實(shí)現(xiàn)三重突破，堪稱科研路上的“得力搭檔”。

01、寬尺寸適配，覆蓋多元需求

可靈活滿足2英寸、4英寸、6英寸氧化鎵VB法單晶生長(zhǎng)需求，無(wú)需頻繁更換核心部件，適配從基礎(chǔ)研究到中試階段的不同場(chǎng)景，大幅降低科研設(shè)備投入成本。

02、精準(zhǔn)調(diào)控，把控核心參數(shù)

搭載自主研發(fā)的全自動(dòng)化復(fù)合測(cè)溫技術(shù)和控溫算法，溫度控制精度達(dá)±0.1℃，確保晶體生長(zhǎng)過(guò)程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性，顯著提高生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量，助力科研人員深入研究材料特性與工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)規(guī)律。

03、穩(wěn)定可靠，保障實(shí)驗(yàn)連續(xù)性

配備可視化操作界面與智能數(shù)據(jù)記錄功能，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)長(zhǎng)晶過(guò)程中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，減少人工操作誤差，加速科研進(jìn)程。設(shè)備連續(xù)運(yùn)行穩(wěn)定性極佳，為長(zhǎng)時(shí)間科研實(shí)驗(yàn)提供堅(jiān)實(shí)保障。

多項(xiàng)成果加持，彰顯硬核實(shí)力

新品設(shè)備的發(fā)布并非偶然，而是建立在鎵仁半導(dǎo)體在氧化鎵領(lǐng)域的持續(xù)技術(shù)突破之上。公司憑借自主研發(fā)的VB法設(shè)備及技術(shù)，已實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵晶體與外延片的規(guī)模化制備，相關(guān)成果為科研級(jí)設(shè)備提供了成熟的技術(shù)支撐。

在VB法生長(zhǎng)氧化鎵晶體制備方面，鎵仁半導(dǎo)體僅用一年完成從2英寸到6英寸的跨越式發(fā)展。鎵仁半導(dǎo)體VB法生長(zhǎng)6英寸（010）面氧化鎵晶錠等徑段長(zhǎng)度超40mm，晶型純度高、缺陷密度低，結(jié)晶質(zhì)量達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，為下游外延生長(zhǎng)提供了高品質(zhì)基礎(chǔ)材料。

鎵仁半導(dǎo)體VB法6英寸（010）面氧化鎵晶錠（導(dǎo)電型）

鎵仁半導(dǎo)體VB法6英寸（010）面氧化鎵晶錠等徑段長(zhǎng)度

在氧化鎵同質(zhì)外延領(lǐng)域，公司基于生長(zhǎng)的氧化鎵襯底成功實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。經(jīng)過(guò)檢測(cè)，外延層缺陷密度低，厚度均勻性與結(jié)晶質(zhì)量?jī)?yōu)異，具有良好的可控性、一致性以及適宜的電學(xué)特性，有效解決了傳統(tǒng)異質(zhì)外延存在的晶格失配問(wèn)題。該成果不僅為高壓功率器件的制備提出了全新方案，更驗(yàn)證了鎵仁基于“SCIENCE系列”設(shè)備生長(zhǎng)單晶襯底的優(yōu)異性能。

鎵仁半導(dǎo)體6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片

關(guān)于鎵仁

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司是全球領(lǐng)先的氧化鎵材料與設(shè)備解決方案提供商，專注于超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化落地。公司核心產(chǎn)品包括：2-8英寸氧化鎵單晶與襯底（其中8英寸為國(guó)際首發(fā)）、氧化鎵垂直布里奇曼法（VB法）長(zhǎng)晶設(shè)備、氧化鎵外延片等，致力于構(gòu)建 “設(shè)備-晶體-襯底-外延” 全鏈條產(chǎn)品體系，為全球客戶提供系統(tǒng)性解決方案。公司在氧化鎵領(lǐng)域的相關(guān)成果獲得人民日?qǐng)?bào)、新華社、科技日?qǐng)?bào)、新浪財(cái)經(jīng)、中國(guó)藍(lán)新聞、澎湃新聞等知名媒體專題報(bào)道。

企業(yè)榮譽(yù)匯總：2023年獲評(píng)國(guó)家級(jí)科技型中小企業(yè)、浙江省創(chuàng)新型中小企業(yè)；2024年獲評(píng)浙江省專精特新中小企業(yè)；2025年獲SEMICON CHINA “SEMI可持續(xù)發(fā)展杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”、九峰山論壇（JFSC）暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)“聚力同行獎(jiǎng)”、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)“創(chuàng)新活力獎(jiǎng)”、第十屆“創(chuàng)客中國(guó)”浙江省總決賽企業(yè)組二等獎(jiǎng)、第十屆“創(chuàng)客中國(guó)”中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國(guó)企業(yè)組 500 強(qiáng)、“2024-2025年度半導(dǎo)體材料行業(yè)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”；“8英寸氧化鎵單晶及襯底制備實(shí)現(xiàn)重大突破”成果入選“2025 年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”及浙江省科技廳“2025年度重大科技成果”；在氧化鎵領(lǐng)域牽頭了2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案的制定、參與起草了1項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制定、參與推動(dòng)了1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案的制定；獲得浙江省杭州市蕭山區(qū)“5213”卓越類計(jì)劃支持；獲得國(guó)際國(guó)內(nèi)發(fā)明專利授權(quán)13項(xiàng)（含美、日等多國(guó)專利），申請(qǐng)專利50余項(xiàng)。