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新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長(zhǎng)最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵襯底質(zhì)量檢測(cè)結(jié)果揭曉，國(guó)際領(lǐng)先！

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鎵仁半導(dǎo)體獲批浙江省博士后工作站

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前瞻|鎵仁半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長(zhǎng)突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

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杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長(zhǎng)

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長(zhǎng)超厚6英寸氧化鎵單晶！

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杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

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CSPSD 2024成都前瞻|鎵仁半導(dǎo)體邀您同聚“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

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鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)千萬天使輪融資，加速氧化鎵中試線研發(fā)等

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