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長城汽車無錫芯動半導體“第三代半導體模組封測項目”動工 總投資 8 億元

日期:2023-02-27 閱讀:279
核心提示:芯動半導體無錫第三代半導體模組封測項目制造基地,總投資 8 億元,建筑面積約 30000㎡,規(guī)劃車規(guī)級模組年產能 120 萬套,預計在

 芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測項目”制造基地,總投資 8 億元,建筑面積約 30000㎡,規(guī)劃車規(guī)級模組年產能 120 萬套,預計在 2023 年 9 月具備設備全面入廠條件,最快于今年年底投入量產。長城汽車表示,芯動半導體將以開發(fā)第三代功率半導體 SiC 模組及應用解決方案為目標,以自主研發(fā)實現(xiàn)國產替代,并對上下游資源高效整合、聯(lián)動發(fā)展,實現(xiàn)對功率半導體產業(yè)鏈的自主可控。

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