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博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項目開工 總投資6億元

日期:2023-03-07 閱讀:285
核心提示:3月6日,博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項目開工儀式在浙江嘉興經(jīng)開區(qū)舉行。嘉興經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)官方消息顯示,該項目

 3月6日,博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項目開工儀式在浙江嘉興經(jīng)開區(qū)舉行。嘉興經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)官方消息顯示,該項目總投資額約6億元,占地面積46667平方米,其中一期用地約33200平方米。該項目瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體新材料領(lǐng)域,集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等功能為一體。

此次落戶的博康半導(dǎo)體產(chǎn)品將覆蓋電信基礎(chǔ)設(shè)施、射頻能源及各類通用市場的應(yīng)用,為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領(lǐng)域提供半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案。

 

(來源:集微網(wǎng))

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