據(jù)悉，日前，博康（嘉興）半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工儀式在嘉興經(jīng)開區(qū)城南街道工業(yè)園區(qū)舉行。項目瞄準第三代半導體新材料領(lǐng)域，將為卡脖子難題提供更多解決方案。

 

消息顯示，此次開工的博康（嘉興）半導體科技有限公司（簡稱“博康半導體”）氮化鎵射頻功率芯片先導線項目占地面積46667平方米，總投資額約6億元人民幣。其中一期用地約33200平方米。項目集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等功能為一體，將進一步加快開發(fā)區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)集聚，為經(jīng)開區(qū)智造創(chuàng)新強區(qū)、經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐。

 

資料顯示，博康半導體成立于2022年，致力成為國內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導體制造服務商，覆蓋電信基礎(chǔ)設(shè)施、射頻能源及各類通用市場的應用，為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領(lǐng)域提供高能效的半導體產(chǎn)品及解決方案。博康半導體一期主營4英寸氮化鎵（GaN）射頻芯片、功放管，形成從GaN管芯到GaN氮化鎵功放管的系列化產(chǎn)品平臺，滿足客戶多元化的應用場景需求。二期將拓展到6英寸砷化鎵（GaAs）射頻芯片產(chǎn)品。