12月28日消息，據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司取得一項(xiàng)名為“清潔半導(dǎo)體襯底的方法“，授權(quán)公告號(hào)CN109585262B，申請(qǐng)日期為2017年12月。

專利摘要顯示，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種清潔半導(dǎo)體襯底的方法。所述方法包括以下步驟：在以第一旋轉(zhuǎn)頻率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底的同時(shí)，向所述半導(dǎo)體襯底的頂表面上施加第一藥劑；在以第二旋轉(zhuǎn)頻率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底的同時(shí)，將所述半導(dǎo)體襯底浸沒在第二藥劑中；以及在向所述半導(dǎo)體襯底的所述頂表面上引入第三藥劑的同時(shí)，以第三旋轉(zhuǎn)頻率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底。所述第一旋轉(zhuǎn)頻率可大于所述第三旋轉(zhuǎn)頻率且所述第三旋轉(zhuǎn)頻率大于所述第二旋轉(zhuǎn)頻率。在一些實(shí)施例中，所述第二旋轉(zhuǎn)頻率為零，且所述半導(dǎo)體襯底在所述浸沒步驟期間保持靜止。