2024年4月9-11日，一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會(huì)展中心舉辦。 山東力冠微電子裝備有限公司作為參展商，將攜新品亮相本屆盛會(huì)，分享在裝備技術(shù)方面的新突破及新進(jìn)展。并邀您相聚博覽會(huì)，蒞臨2T32號(hào)展臺(tái)參觀交流、洽談合作。
本屆CSE博覽會(huì)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室共同主辦，以“聚勢(shì)賦能 共赴未來(lái)”為主題將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，以及從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料和設(shè)備到核心部件領(lǐng)域企業(yè)參展。CSE作為2024年首場(chǎng)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)得到了多方力量的大力支持，三大主題展區(qū)，六大領(lǐng)域，將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù)，將打造化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的標(biāo)桿性展會(huì)。助力打造全球化合物半導(dǎo)體平臺(tái)、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級(jí)盛會(huì)，集中展示化合物半導(dǎo)體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術(shù)的首選平臺(tái)，支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設(shè)具有全球影響力的萬(wàn)億級(jí)光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。
力冠微成立于2013年，國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，經(jīng)十年的發(fā)展，已成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝裝備制造商。主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與專業(yè)化的技術(shù)服務(wù)。公司產(chǎn)品被廣泛服務(wù)于集成電路、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、5G芯片、光通信、MEMS、等新型電子器件制造領(lǐng)域，致力于半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)的振興與發(fā)展。
產(chǎn)品介紹
1.HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備（立式/臥式）
用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng),以及氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AlN）、磷化銦（InP）外延生長(zhǎng)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
·基礎(chǔ)工藝包
1.氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)尺寸：2英寸
2.單晶生長(zhǎng)速率：≥50微米/小時(shí)
3.藍(lán)寶石村底外延生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）單晶層厚度：＜200微米
·襯底：2/4/6英寸
·數(shù)量：1片/多片
·立式/臥式結(jié)構(gòu)合理可靠，滿足客戶多種尺寸襯底，多種操作方式需要
·控溫精度高，溫區(qū)穩(wěn)定性好
·完美可靠的安全保護(hù)功能：硬件保護(hù)+軟件互鎖
2.PVT晶體生長(zhǎng)設(shè)備
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）單晶生長(zhǎng)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
·提供兩種工藝包
①外形包：產(chǎn)出6英寸碳化硅（SiC）單晶，外形不開(kāi)裂
②工藝包：晶型4H
電阻率：0.015~0.025ohm·cm
直徑：150.25±0.25mm
厚度：≥10（Figure 2）mm
微管密度：≤3ea/cm²
·溫度最高可達(dá)2400℃
·加熱方式：感應(yīng)、電阻
·襯底尺寸：4/6/8英寸
3.晶體提拉設(shè)備
直拉法晶體生長(zhǎng)專用設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)在高壓、真空和保護(hù)氣氛下直拉生長(zhǎng)晶體。采用自動(dòng)稱重結(jié)構(gòu)，在保證晶體品質(zhì)的前提下實(shí)現(xiàn)了直拉晶體的自動(dòng)生長(zhǎng)過(guò)程。應(yīng)用于氧化鎵單晶生長(zhǎng)，SiC單晶、激光單晶等生長(zhǎng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
·高精度的傳感器和控制軟件
·自動(dòng)控制晶體外形
·最高溫度：2400℃
·晶體尺寸：2-8英寸
值此之際，我們誠(chéng)邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會(huì)，蒞臨展位現(xiàn)場(chǎng)參觀交流、洽談合作。
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