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光馳半導體原子層鍍膜與刻蝕設(shè)備項目竣工

日期:2024-07-11 閱讀:294
核心提示:光馳半導體技術(shù)(上海)有限公司投資建設(shè)的原子層鍍膜與刻蝕設(shè)備項目順利完成竣工驗收。

近日,光馳半導體技術(shù)(上海)有限公司投資建設(shè)的原子層鍍膜與刻蝕設(shè)備項目順利完成竣工驗收。

原子層鍍膜與刻蝕設(shè)備項目項目位于寶山高新區(qū)07-17地塊,總投資5.48億元,占地面積50畝,總建筑面積6.44萬平方米,其中一期建筑面積約3.8萬平方米,涵蓋標準廠房、研發(fā)辦公樓等。項目主要致力新型電子元器件及設(shè)備制造,利用全球泛半導體產(chǎn)業(yè)鏈的調(diào)整與相關(guān)前沿研發(fā)的投入與技術(shù)整合,實現(xiàn)電子專用設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)化、規(guī)模化。 

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