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高裕電子將建設(shè)第三代半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備生產(chǎn)基地

日期:2025-02-26 閱讀:282
核心提示:據(jù)潮新聞報(bào)道,杭州高裕電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱高裕電子)的第三代半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備生產(chǎn)基地項(xiàng)目于2月14日在杭州市

 據(jù)潮新聞報(bào)道,杭州高裕電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“高裕電子”)的第三代半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備生產(chǎn)基地項(xiàng)目于2月14日在杭州市西湖區(qū)簽約落地。

 據(jù)悉,該項(xiàng)目預(yù)計(jì)在未來三年內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收超7.5億元 

高裕電子成立于2009年10月16日,注冊(cè)資本5250萬元人民幣,是國內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件可靠性試驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試設(shè)備研制及元器件可靠性整體解決方案集成商。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于國防電子工業(yè)和國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)等。

 2024年4月,高裕電子旗下產(chǎn)品SiC MOSFET功率循環(huán)老化測(cè)試系統(tǒng)已被浙江省科技廳認(rèn)定為“浙江省科學(xué)技術(shù)成果”。

 

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