11月11-14日，第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。本屆論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學（XMU）共同主辦，惠新（廈門）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
期間，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司、三安光電股份有限公司、蘇州寶士曼半導體設備有限公司、上海瞻芯電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、深圳平湖實驗室協(xié)辦支持的“碳化硅功率電子器件及其封裝技術”分論壇，來自產業(yè)鏈相關專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討，追蹤最新進展。西安電子科技大學集成電路學部/教授、芯豐澤半導體創(chuàng)始人宋慶文，中國科學院上海微系統(tǒng)所研究員程新紅，廈門大學教授張峰，大連理工大學教授王德君聯(lián)合主持了該分論壇。
吳偉東
多倫多大學納米制造中心主任、教授
《用于碳化硅（SiC）功率 MOSFET 的具有自動時序功能的智能動態(tài)柵極驅動器》
王德君
大連理工大學教授
《SiC半導體表界面缺陷與MOS器件可靠性研究進展》
許志維
湖南三安半導體科技有限公司技術副總
《依JEDEC標準進行之SiC MOSFET抗宇宙射線輻照測試》
梁超
江蘇博睿光電股份有限公司副總經理
《面向功率器件的高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化》
凌志聰
香港大學物理學院副教授
《碳化硅器件工程化原子尺度缺陷研究：以抑制商用碳化硅結勢壘肖特基二極管的漏電流為例》
任娜
浙江大學特聘研究員
《10kV SiC MOSFET器件研究最新進展》
曹峻
上海瞻芯電子科技股份有限公司副總經理
《新能源汽車用碳化硅MOSFET與可靠性研究》
李道會
北京昕感科技（集團）副總經理、合肥昕感科技總經理
《規(guī)碳化硅技術的應用及挑戰(zhàn)》
田天成
蘇州寶士曼半導體設備有限公司總經理
《有壓納米銀燒結工藝量產應用實踐與檢討》
崔瀠心
山東大學新一代半導體材料研究院副研究員
《高功率碳化硅肖特基二極管技術及產業(yè)化》
陳偉
九峰山實驗室研究員
《具有雙掩蔽構造和電流擴展層的新型碳化硅溝槽MOSFET器件研究》
葛歡
北京智慧能源研究院高級工程師
《4H-SiC MOSFET 非自對準與自對準溝道工藝的對比研究》
杜雷鳴
荷蘭代爾夫特理工大學博士后研究員
《納米金屬顆?；ミB的燒結基礎》
葉懷宇
南方科技大學副教授
《碳化硅先進封裝及全銅化技術》
李士顏
南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司研發(fā)主管、中電科五十五所
《基于溝槽SiC MOSFET的1200V800A功率模塊》
王程鋆
重慶有研重冶新材料有限公司研發(fā)主管
《碳化硅模塊封裝用高性能納米銅粉可控制備》
張峰
廈門大學教授
《SiC光電MOSFET晶體管研究》
王謙
揚杰科技碳化硅事業(yè)部副總經理
《溝槽型SiC MOSFET器件的發(fā)展與技術挑戰(zhàn)的》
李彥君
浙江大學研究員
《N溝道SiC IGBT的設計與仿真：實現(xiàn)高阻斷能力和低正向壓降的緩沖堆棧工程》
汪雅馨
深圳平湖實驗室
《一種用于碳化硅功率集成電路的新型LDMOS-SCR ESD 保護器件的設計》
張程
中國科學院大學博士
《AI深度學習在功率器件中的應用》
（會議內容詳情，敬請關注半導體產業(yè)網、第三代半導體公號）
