12月6日，本屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM 2025）于舊金山召開，中國(guó)半導(dǎo)體力量成為聚光燈下的焦點(diǎn)。在全球頂尖學(xué)術(shù)舞臺(tái)上，中國(guó)機(jī)構(gòu)合計(jì)貢獻(xiàn)了101篇入選論文，其中，北京大學(xué)以21篇的入選量連續(xù)五年雄踞全球高校榜首；在產(chǎn)業(yè)界，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)DRAM領(lǐng)域的代表，憑借兩項(xiàng)前沿技術(shù)成果的入選，論文數(shù)位居國(guó)內(nèi)企業(yè)首位。

IEDM 2025見證中國(guó)半導(dǎo)體崛起

被譽(yù)為半導(dǎo)體“奧林匹克”的IEDM大會(huì)，長(zhǎng)期是全球器件技術(shù)演進(jìn)的風(fēng)向標(biāo)。今年正值場(chǎng)效應(yīng)晶體管誕生百年，大會(huì)以“FET 100年：塑造設(shè)備創(chuàng)新的未來”為主題，在人工智能驅(qū)動(dòng)算力與存儲(chǔ)需求爆發(fā)的時(shí)代背景下，其議程不僅反映學(xué)術(shù)前沿，更預(yù)示未來存儲(chǔ)技術(shù)的演進(jìn)方向與產(chǎn)業(yè)變局。

圖源：微揚(yáng)智源

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在大會(huì)上披露的兩項(xiàng)成果引人注目：一是實(shí)現(xiàn)了單片集成的3D鐵電存儲(chǔ)器（3D FeRAM），采用創(chuàng)新的雙層堆疊1T1C架構(gòu)與雙柵極選擇晶體管，在性能與耐用性上表現(xiàn)突出，為下一代低功耗非易失性存儲(chǔ)鋪平道路；二是成功研制出全球首個(gè)在后段制程（BEOL）集成的新型多層堆疊DRAM，基于IGZO晶體管實(shí)現(xiàn)，并在性能與可靠性方面取得關(guān)鍵進(jìn)展，為DRAM技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)開辟了新路徑。

長(zhǎng)鑫技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品全面進(jìn)階

扎實(shí)的研發(fā)積累正轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的強(qiáng)勁動(dòng)力。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前已構(gòu)建起覆蓋DDR4、DDR5、LPDDR5、LPDDR5X的全系列產(chǎn)品體系。據(jù)官網(wǎng)信息，長(zhǎng)鑫今年10月推出的LPDDR5X芯片，最高速率達(dá)10667Mbps，性能較前代提升66%，功耗則降低30%，已達(dá)到國(guó)際主流水平。據(jù)行業(yè)了解，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在研發(fā)的0.58mm超薄芯片，有望在量產(chǎn)后成為全球最薄的LPDDR5X產(chǎn)品。

在標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)領(lǐng)域，長(zhǎng)鑫于11月發(fā)布了最新DDR5產(chǎn)品，最高速率突破8000Mbps，并提供24Gb大容量顆粒，兩項(xiàng)指標(biāo)均步入國(guó)際領(lǐng)先行列。24Gb大容量顆粒尤其適合數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景，可在不增加物理空間的前提下顯著提升系統(tǒng)容量與運(yùn)算效率。此外，圍繞DDR5芯片，長(zhǎng)鑫還推出了UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM七大模組，完整覆蓋從個(gè)人電腦到服務(wù)器的高端應(yīng)用需求。

根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)最新數(shù)據(jù)，2025年10月全球半導(dǎo)體銷售額同比增長(zhǎng)33%，其中DRAM銷售額同比激增90%，行業(yè)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)強(qiáng)勁。在此背景下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)持續(xù)推進(jìn)的上市進(jìn)程也獲得有利環(huán)境支撐。分析指出，行業(yè)基本面的顯著改善，為長(zhǎng)鑫IPO增添了更具說服力的成長(zhǎng)敘事，有望進(jìn)一步強(qiáng)化投資者對(duì)公司長(zhǎng)期價(jià)值與盈利潛力的信心。