近日，晶盛機電在碳化硅（SiC）核心裝備領域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商瀚天天成。這一重大技術突破將有力推動碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈向更大尺寸、更高效率、更低成本方向演進，為我國在全球?qū)捊麕О雽w領域的自主可控與產(chǎn)業(yè)升級注入強勁動力。

    ■ 12英寸單片式碳化硅外延生長設備團隊合影

    SiC作為第三代半導體的核心材料，在新能源汽車、5G通信設備、AI數(shù)據(jù)中心等高壓高溫應用場景中具有不可替代的優(yōu)勢，而大尺寸外延設備及襯底的成熟制備正是降低成本并推動其大規(guī)模商業(yè)化應用的關鍵。從6英寸到8英寸再到如今12英寸SiC外延生長設備的成功研發(fā)，晶盛機電不僅完成了設備技術上的連續(xù)跨越，而且其子公司浙江晶瑞SuperSiC在6-12英寸碳化硅襯底技術上，也走在行業(yè)前列，成為我國在戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)競爭中贏得市場先機的強大推動力。

    此次研發(fā)的12英寸單片式SiC外延設備可兼容8、12英寸SiC外延生產(chǎn)，其獨創(chuàng)的垂直分流進氣方案，實現(xiàn)了晶圓表面溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分區(qū)控制等技術，同時設備配備了自動化上/下料模塊及一鍵自動PM輔助功能，大幅提升顆?？刂颇芰途S護效率。

    目前，該設備已交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商瀚天天成，其使用的12英寸襯底則由浙江晶瑞SuperSiC提供，全面實現(xiàn)了國產(chǎn)化協(xié)同。外延晶片產(chǎn)品在關鍵性能指標上表現(xiàn)優(yōu)異：外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜不均勻性控制在8%以內(nèi)，2mm×2mm芯片良率大于96%，已達到行業(yè)領先水平。

    未來，晶盛機電將繼續(xù)秉持“打造半導體材料裝備領先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”的使命，堅持創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，以開放合作的態(tài)度，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴協(xié)同創(chuàng)新，共同構建自主可控的第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，為實現(xiàn)高水平科技自立自強、建設制造強國貢獻堅實的產(chǎn)業(yè)力量。