2026功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2026）

第一輪通知

2026年6月11-13日 | 中國(guó)·上海

當(dāng)前，全球正處于能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與數(shù)字經(jīng)濟(jì)深度融合的關(guān)鍵時(shí)期。功率半導(dǎo)體器件與集成電路作為電能轉(zhuǎn)換、信號(hào)調(diào)控的核心載體，在 “超越摩爾”技術(shù)演進(jìn)路線(xiàn)中占據(jù)核心地位。二者不僅是支撐新能源汽車(chē)、AI 算力中心、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)升級(jí)的 “工業(yè)糧食”，其技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)升級(jí)更直接關(guān)乎全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全，以及能源利用效率革命的進(jìn)程與成效。 

從技術(shù)演進(jìn)來(lái)看，功率半導(dǎo)體形成“硅基筑牢根基、寬禁帶加速滲透、超寬禁帶探索突破”的多層次發(fā)展格局。硅基器件作為產(chǎn)業(yè)基石，并未退出歷史舞臺(tái)，其在中低壓、低成本場(chǎng)景中仍占據(jù)主導(dǎo)地位，同時(shí)通過(guò)超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT第七代技術(shù)迭代，持續(xù)提升能效與集成度，2026年全球硅基功率器件市場(chǎng)規(guī)模仍將保持10%以上增長(zhǎng)，是工業(yè)控制、中低端新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的核心支撐。在此基礎(chǔ)上，行業(yè)加速向?qū)捊麕Р牧系?，形成碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）雙線(xiàn)并行態(tài)勢(shì)：SiC憑借高壓、高溫、高頻特性，在電動(dòng)車(chē)主驅(qū)逆變器、儲(chǔ)能PCS系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)能效顯著提升，器件效率較傳統(tǒng)硅器件提升4.5%以上，儲(chǔ)能系統(tǒng)能量損耗降低約60%；GaN則從消費(fèi)電子快充領(lǐng)域向AI服務(wù)器電源、車(chē)載OBC等高端場(chǎng)景滲透，2026年非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用占比將首次超過(guò)50%，推動(dòng)電源系統(tǒng)功率密度提升50%以上。與此同時(shí)，以氧化鎵（Ga?O?）為代表的超寬禁帶器件成為行業(yè)研發(fā)熱點(diǎn)，其在超高電壓耐受、成本控制上具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可廣泛適配智能電網(wǎng)、航空航天等極端應(yīng)用場(chǎng)景，盡管當(dāng)前受散熱性能不佳等瓶頸制約尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。 

為更好的推動(dòng)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體及集成電路學(xué)術(shù)及產(chǎn)業(yè)交流，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA)指導(dǎo)下，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將于2026年6月11-13日在上海聯(lián)合主辦，“2026功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2026)”，會(huì)議內(nèi)容將涵蓋以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料、高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)及加工、模塊封裝、測(cè)試分析、EDA軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。 

一、組織機(jī)構(gòu)（擬）

指導(dǎo)單位：

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：

集成電路材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

學(xué)術(shù)協(xié)辦：

電子科技大學(xué)

南京郵電大學(xué)

大會(huì)主席：狄增峰

聯(lián)合主席：張波、吳偉東、程新紅、趙璐冰

程序委員會(huì)委員：陳敬、張進(jìn)成、柏松、唐為華、羅小蓉、張清純、龍世兵、王來(lái)利、楊媛、張宇昊、楊樹(shù)、劉斯揚(yáng)、歐欣、章文通、陳敦軍、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑤、劉雯、鄧小川、魏進(jìn)、周琦、周弘、葉懷宇、張龍、包琦龍、金銳、姚佳飛、蔣其夢(mèng)、明鑫、周春華、鄭理、沈玲燕等

組織委員會(huì)：

主任：鄭理

副主任：涂長(zhǎng)峰、周學(xué)通、徐光偉、劉盼

委員：周峰、王珩宇、崔瀠心、楊可萌、張珺、羅鵬、劉成、劉宇、張茂林、任開(kāi)琳、王謙、張棟梁、劉曉博、王鵬、陳龍、李成、康俊杰、賈欣龍等

二、主題&征文方向

1.S1-硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)； 

2.S2-碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)； 

3.G1-氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)； 

4.G2-氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)； 

5.P1-模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性； 

6.P2-面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)、制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等； 

7.P3-功率器件交叉領(lǐng)域及EDA

基于新材料（柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真，建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試。 

三、會(huì)議日程（擬）

四、擬邀參會(huì)單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國(guó)電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)、上海大學(xué)等 

五、注冊(cè)報(bào)名

1.注冊(cè)及權(quán)益：注冊(cè)費(fèi)2800元，5月30日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，12日午餐、歡迎晚宴、13日自助午餐及晚餐）。 

2.在線(xiàn)報(bào)名

·掃碼注冊(cè)

掃碼注冊(cè)報(bào)名

·注冊(cè)網(wǎng)址：（請(qǐng)復(fù)制鏈接至瀏覽器打開(kāi)）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form

·點(diǎn)擊閱讀原文：點(diǎn)擊文末“閱讀原文”直接跳轉(zhuǎn)至→報(bào)名鏈接，完成報(bào)名。 

六、聯(lián)系咨詢(xún)

1.論文投稿

·投稿截止4月10日。投稿錄用后需現(xiàn)場(chǎng)參加POSTER展示，屆時(shí)會(huì)評(píng)選出最佳POSTER，文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》或《功能材料與器件學(xué)報(bào)》。

·投稿模板&摘要&海報(bào)要求附件下載：CSPSD2026_摘要要求及模板.doc，CSPSD2026_POSTER制作要求.docx，CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf

2.投稿&報(bào)告咨詢(xún)：

鄭老師：15618636853，郵箱：zhengli@mail.sim.ac.cn

賈老師：18310277858，郵箱：jiaxl@casmita.com

李老師：18601994986，郵箱：linan@casmita.com 

征文&投稿專(zhuān)用郵箱：paper@cspsd.cn 

3.贊助、展示及商務(wù)合作

賈先生：18310277858，郵箱：jiaxl@casmita.com

張女士：13681329411，郵箱：zhangww@casmita.com  

4.報(bào)名咨詢(xún)：

蘆老師：13601372457，郵箱：luli@casmita.com

滬上論道，芯向未來(lái)!

——CSPSD2026 邀您共赴行業(yè)盛會(huì)，

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