近日，隨著北京市未來產(chǎn)業(yè)育新平臺第二批建設(shè)名單公布，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料方向的市級未來產(chǎn)業(yè)平臺在順義誕生，標(biāo)志著順義區(qū)在前沿科技產(chǎn)業(yè)布局中搶占關(guān)鍵先機，為北京國際科技創(chuàng)新中心建設(shè)注入了新動力

“北京市未來產(chǎn)業(yè)育新平臺”第二批建設(shè)名單。 

“北京市未來產(chǎn)業(yè)育新平臺”的評選旨在遴選和培育面向未來的創(chuàng)新引擎，競爭激烈?？苿?chuàng)集團所屬中關(guān)村（順義）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園入駐企業(yè)——北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司憑借其“超寬禁帶半導(dǎo)體育新平臺”入選。銘鎵半導(dǎo)體脫穎而出的優(yōu)勢不僅在于“唯一性”，更源于企業(yè)代表的技術(shù)方向——超寬禁帶半導(dǎo)體，是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域公認(rèn)的下一代核心技術(shù)高地。 

以氧化鎵為代表的這類半導(dǎo)體材料，成本僅為當(dāng)前第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的三分之一左右，并且具備耐超高壓、耐高溫、大功率和抗輻照等性能，被譽為“性價比之王”，在新能源汽車、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域擁有極大的應(yīng)用潛力。 

銘鎵半導(dǎo)體能夠擔(dān)此重任，源于其深厚的技術(shù)積淀。2025年初，企業(yè)運用新工藝成功制備了4英吋（010）氧化鎵晶坯，為全球首次，為制造更大尺寸、更低成本的氧化鎵器件創(chuàng)造了條件。 

“尺寸是半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。我們制備的晶坯可用尺寸更大，意味著可制造的器件芯片數(shù)量更多，單位器件芯片制造成本更低，讓氧化鎵的性價比優(yōu)勢更加明顯。”北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司董事長陳政委介紹。目前，企業(yè)生產(chǎn)的半絕緣型氧化鎵襯底尺寸已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。 

“我們的目標(biāo)不僅是自主研發(fā)技術(shù)，更是搭建一個開放生態(tài)，幫助更多創(chuàng)新團隊把想法變成產(chǎn)品。”陳政委說。此次銘鎵獲評的“超寬禁帶半導(dǎo)體育新平臺”并非單打獨斗，而是在區(qū)經(jīng)信局組織下，與超寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)共同構(gòu)建了一個創(chuàng)新的“三維育新”模式：以銘鎵半導(dǎo)體為龍頭提供核心材料技術(shù)引領(lǐng)，聯(lián)合創(chuàng)元成業(yè)等骨干企業(yè)攻堅中試轉(zhuǎn)化，并由創(chuàng)摯益聯(lián)專業(yè)平臺提供全鏈條服務(wù)牽引。這一模式能夠打通從實驗室樣品到市場化商品的關(guān)鍵路徑，加速科技成果轉(zhuǎn)化。 

平臺的落地與成長，離不開順義區(qū)良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境。順義科創(chuàng)集團相關(guān)負(fù)責(zé)人表示：“我們非?？春醚趸壍奈磥恚阢戞壈雽?dǎo)體擴大氧化鎵加工線及結(jié)晶室時，提供了騰退出的989平方米廠房，護航企業(yè)穩(wěn)健發(fā)展。” 

近年來，順義區(qū)重點打造第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，并出臺專項扶持政策，從研發(fā)流片、重大成果落地到人才引進給予全方位支持。此次市級平臺的認(rèn)定，正是區(qū)域產(chǎn)業(yè)政策與企業(yè)發(fā)展同頻共振的結(jié)果。 

未來，平臺將吸引從裝備、設(shè)計到應(yīng)用端的優(yōu)質(zhì)企業(yè)聚集，在順義形成國內(nèi)領(lǐng)先的第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，為北京市第四代半導(dǎo)體氧化鎵產(chǎn)業(yè)前沿技術(shù)發(fā)展打下堅實基礎(chǔ)。 

（來源：北京順義）