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深圳平湖實驗室8英寸1200 V增強型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)——2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展候選成果TOP30推介

晶飛半導(dǎo)體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

12英寸碳化硅襯底實現(xiàn)激光剝離

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

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香港大學(xué)等聯(lián)合開發(fā)革命性鉆石制備技術(shù) 10秒產(chǎn)出2英寸金剛石晶圓

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鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

重大進展！中國團隊成功實現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進展

國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展！

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科友6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得重大技術(shù)突破

國內(nèi)首家！廈門大學(xué)實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長！

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

山東大學(xué)與南砂晶圓團隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

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