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南京大學(xué)陸海教授團(tuán)隊(duì)2篇光電精密測(cè)量芯片工作在IEDM
2025
發(fā)布:1. 寬禁帶半導(dǎo)體引領(lǐng)電子顯微技術(shù)走向單電子精密測(cè)量時(shí)代
南京大學(xué)
陸海教授
光電精密測(cè)量
芯片
IEDM
202
寬禁帶半導(dǎo)體
電子顯微技術(shù)
單電子
精密測(cè)量
評(píng)論 ?
2025-12-18 11:00
上海微系統(tǒng)所在IEDM
2025
上發(fā)布面向功率器件設(shè)計(jì)的智能化電熱建模與參數(shù)提取新方案
評(píng)論 ?
2025-12-16 19:06
小米手機(jī)射頻團(tuán)隊(duì)論文入選 IEDM
2025
,率先報(bào)道了應(yīng)用于移動(dòng)終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器
小米集團(tuán)
蘇州能訊
香港科技大學(xué)
論文
高效率
低壓
硅基氮化鎵
射頻
功率放大器
評(píng)論 ?
2025-12-15 08:19
萬(wàn)伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——
2025
年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介
2025
第三代半導(dǎo)體
技術(shù)
十大進(jìn)展
候選成果
TOP30
萬(wàn)伏級(jí)
SiC
MOSFET
器件
評(píng)論 ?
2025-12-04 09:13
全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)——
2025
年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介
2025
第三代半導(dǎo)體
技術(shù)
十大進(jìn)展
候選成果
TOP30
12英寸
碳化硅
襯底
評(píng)論 ?
2025-12-04 09:09
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSD
2025
評(píng)論 ?
2025-06-17 10:40
中國(guó)科學(xué)院關(guān)于EDA技術(shù)創(chuàng)新的三篇論文被DAC
2025
錄用
評(píng)論 ?
2025-04-03 09:58
我國(guó)將在第十四個(gè)“五年計(jì)劃”里協(xié)助開(kāi)發(fā)7nm工藝(2021-
2025
)
評(píng)論 ?
2020-08-13 16:12
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