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南京大學(xué)周峰：面向空間電源應(yīng)用的高性能氮化鎵功率器件研究進(jìn)展

實(shí)現(xiàn)”并跑“：長鑫存儲LPDDR5X性能比肩國際，重塑全球市場競爭格局

西北首條8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)

報(bào)告前瞻|復(fù)旦大學(xué)雷光寅：面向AI數(shù)據(jù)中心高功率電源的高性能SiC芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

博睿光電梁超：面向功率器件的高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化

中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所碳化硅反射鏡加工高性能磨料采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學(xué)鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉：通過鎂插層增強(qiáng)氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：GaN功率電子器件動態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測和損耗分析

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機(jī)理及其光電探測性能研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

2025云南晶體大會前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國晶微半導(dǎo)體

陜西電子芯業(yè)時(shí)代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線計(jì)劃9月份通線試生產(chǎn)

CHIPX首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓下線，110GHz帶寬高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

艾邁斯歐司朗進(jìn)一步優(yōu)化紅外激光產(chǎn)品，樹立3D傳感性能標(biāo)桿

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

投資5億元，世拓新材料高性能光學(xué)和集成電路高分子材料項(xiàng)目簽約落戶張家港

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測試試驗(yàn)平臺采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

總投資2億元！江蘇長光時(shí)空高性能激光芯片項(xiàng)目投產(chǎn)

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納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

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