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為什么要對(duì)電動(dòng)汽車供電設(shè)備實(shí)施強(qiáng)制性產(chǎn)品認(rèn)證？

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上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

美國(guó)商務(wù)部批準(zhǔn)SK海力士提供4.58億美元《芯片法案》補(bǔ)貼

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

3.5億！一半導(dǎo)體項(xiàng)目在皖開工

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光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

總投資1.2億湖州奕富半導(dǎo)體研磨裝備國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目簽約，

玻色量子、希姆半導(dǎo)體等簽約入駐電子城南京未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地

中國(guó)工程院院士彭壽：新型顯示材料始終占據(jù)顯示產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈高端

歐盟批準(zhǔn)意大利13億歐元補(bǔ)貼助力Silicon Box建設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體封裝廠

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上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

森國(guó)科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地設(shè)備進(jìn)場(chǎng)

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

中科飛測(cè)第1000臺(tái)集成電路質(zhì)量控制設(shè)備出機(jī)

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

中微公司宣布成功從美國(guó)國(guó)防部中國(guó)軍事企業(yè)清單中移除

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