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無錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動裝置專利，實(shí)現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

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派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

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華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

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上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

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