國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN 119171176 A，申請(qǐng)日期為2024年8月。

專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件。該GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、上限制層，上波導(dǎo)層與上限制層之間具有激子聲子量子干涉層；激子聲子量子干涉層的晶格常數(shù)分布具有函數(shù)y＝A+B*lnx+x曲線分布；激子聲子量子干涉層的禁帶寬度分布具有函數(shù)y＝C+D*sinx/x2第三象限曲線分布；該GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件，可以解決閾值處的電導(dǎo)上跳、電容下沉和理想因子上跳的突變問(wèn)題，降低電子空穴的傳輸損耗，提升載流子注入均勻性和增益均勻性，提升激光器光功率；提升光束質(zhì)量因子。