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專家說丨化合物半導體器件的三大方向進展

聯(lián)合微電子中心取得一種半導體器件專利，提升半導體器件性能

芯導電子“一種靜電防護結構及制備方法、半導體器件及制備方法”專利公布

安徽長飛先進半導體申請半導體器件相關專利，使半導體器件獲得更好的散熱結構以及更低的電阻率

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導體器件在產品中的量產應用，且應用技術已相對成熟

格蘭菲申請功率半導體器件結構及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

忱芯科技申請?zhí)蓟韫β?span id="fllbjpt" class="highlight">半導體器件的驅動板和測試方法專利

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

美國ITC對特定半導體器件及其下游產品啟動337調查

欣代半導體器件東寶智造產業(yè)園項目簽約

粵芯半導體“一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權

粵芯半導體“一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權

芯聯(lián)集成“半導體器件的制備方法及半導體器件”專利獲授權

高可靠性高功率半導體器件IDM項目在宜興簽約總投資約30億元

總投資約30億！宜興又簽約一項功率半導體器件項目

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法”專利獲授權

粵桂半導體器件智能產業(yè)園項目實現(xiàn)竣工

年產60萬片！傲威半導體車規(guī)級功率半導體器件項目開工

總投資7006萬元，新康電子12 英寸晶圓分立半導體器件封裝測試擴建項目驗收

總投資10億元，碳化硅半導體器件生產項目簽約落戶嘉善

中科院金屬研究所二維半導體器件研究獲得重要突破

晶合集成申請半導體專利，能提高半導體器件的穩(wěn)定性和平衡性

捷捷微電8英寸功率半導體器件芯片項目簽約落戶蘇錫通園區(qū)

【CSPSD 2024】2024功率半導體器件與集成電路會議在成都召開

日程更新！2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）開幕在即

CSPSD 2024成都前瞻|國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技誠邀您參加“2024功率半導體器件與集成電路會議”

CSPSD 2024成都前瞻|萊普科技邀您同聚“2024功率半導體器件與集成電路會議”

CSPSD 2024成都前瞻|復錦功率半導體邀您同聚“2024功率半導體器件與集成電路會議”

CSPSD 2024成都前瞻|艾姆希半導體邀您同聚“2024功率半導體器件與集成電路會議”

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