國家知識產(chǎn)權局信息顯示，安徽長飛先進半導體有限公司申請一項名為“半導體器件的處理方法及半導體器件”的專利，公開號CN 118888436 A ，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種半導體器件的處理方法，包括：提供半導體器件，所述半導體器件包括碳化硅襯底和位于所述碳化硅襯底一側的外延層；對所述碳化硅襯底遠離所述外延層的一側進行減薄處理；在所述碳化硅襯底遠離所述外延層的一側形成凹槽，且所述凹槽的深度小于或者等于所述碳化硅襯底的厚度；在所述碳化硅襯底遠離所述外延層的 側形成金屬層且所述金屬層填充所述凹槽本發(fā)明的半導體器件的處理方法，通過在碳化硅襯底上進行背面凹槽刻蝕，并在凹槽中填充金屬，使得半導體器件能夠獲得更好的散熱結構以及更低的電阻率。本發(fā)明還公開了一種半導體器件。