天眼查顯示，英諾賽科（珠海）科技有限公司近日取得一項名為“含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號為CN106449375B，授權(quán)公告日為2024年7月5日，申請日為2016年12月26日。
本發(fā)明涉及一種含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括襯底、設在該襯底上部的籽晶層、設在該籽晶層上部的緩沖層以及設在該緩沖層上部的Ⅲ族氮化物外延層。本發(fā)明通過在氮化鋁中摻雜一定濃度的硅，在硅襯底上中生長包含硅摻雜氮化鋁層的籽晶層，硅摻雜氮化鋁與硅原子的晶格失配數(shù)比較接近，硅摻雜氮化鋁層在硅基底上更好的成長，可以有效的阻止硅由襯底擴散進入氮化鎵外延層，減少了硅與氮化鎵的反應，改善了氮化鎵或氮鎵鋁/氮化鎵薄膜的品質(zhì)，提高了半導體器件的工作性能。
