美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

AlGaN基遠紫外光源芯片發(fā)光效率增強關鍵技術研究——第三代半導體技術十大進展成果推介

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運行為研究和高效率器件研制

HORIBA集團熊洪武：光致發(fā)光光譜技術在化合物半導體中的應用

深天馬：全資子公司上海天馬完成吸收合并天馬有機發(fā)光

清華大學團隊合作在稀土電發(fā)光研究領域取得新進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

路明科技集團肖志國：稀土發(fā)光材料與半導體發(fā)光芯片技術突破與前沿進展

2025云南晶體大會前瞻|路明科技集團肖志國：固體發(fā)光技術引領產業(yè)變革

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結構堆垛研究

北京大學許福軍、沈波團隊成功實現高性能中波紫外發(fā)光器件制備

南京工業(yè)大學先進材料AM：界面誘導生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法”專利公布

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產良率

蘇州長光華芯取得模式調控半導體發(fā)光結構及其制備方法專利

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結構

黃維院士團隊在柔性聚合物發(fā)光二極管應變穩(wěn)定性方面取得重要進展

南開大學研發(fā)光學焦平面陣列堆疊芯片，實現毫米波高速成像

廈大團隊突破：量子點發(fā)光微球打造超高效明亮Micro-LEDs

北京工業(yè)大學郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實驗室、福州大學孫捷課題組：局域表面等離子體增強納米柱Micro-LED發(fā)光

許福軍、沈波團隊成功實現垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

清華大學研發(fā)光子芯片側重自動駕駛等邊緣智能應用

CASICON晶體大會前瞻 |江風益院士：V形PN結銦鎵氮發(fā)光及應用

萊特光電申請含氮化合物及有機電致發(fā)光器件和電子裝置專利

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

國家重點研發(fā)計劃“單片集成GaN基可調控Micro-LED發(fā)光器件研究”項目啟動

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

北京大學申請長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

英特爾與日本NTT合作開發(fā)光電融合半導體

4000多次試錯，終于探索出全球第三條藍光LED技術路線

第1頁/共2頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<menu id="oxywq"></menu>

<li id="oxywq"></li>