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突破！南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)打造連續(xù)穩(wěn)定工作超萬小時(shí)的高可靠性SiC紫外單光子探測器

Wolfspeed高可靠性碳化硅器件賦能豐田電動(dòng)汽車平臺

納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合，服務(wù)于智能電網(wǎng)并全面提升關(guān)鍵能源基礎(chǔ)設(shè)施可靠性與性能

瞻芯電子曹峻：新能源汽車用碳化硅MOSFET與可靠性研究

香港大學(xué)張宇昊：面向系統(tǒng)應(yīng)用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性

報(bào)告前瞻|光庫科技鄧劍欽：高可靠性激光芯片封裝工藝介紹

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)田朋飛：面向空間引力波探測的深紫外micro-LED器件與可靠性研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

京東方華燦GaN電力電子突破：消費(fèi)級可靠性1000H突破，工業(yè)級JEDEC蓄勢待發(fā)

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

CASA與CSA共同立項(xiàng)《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗(yàn)方法》等2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)

高裕電子將建設(shè)第三代半導(dǎo)體可靠性測試設(shè)備生產(chǎn)基地

格至達(dá)智能取得IGBT功率模塊專利，保證可靠性和耐用性

華虹宏力“提升芯片良率和可靠性的方法”專利公布

揚(yáng)杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

飛锃半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

高可靠性高功率半導(dǎo)體器件IDM項(xiàng)目在宜興簽約總投資約30億元

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

紫光集電高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目產(chǎn)線通線

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)徐躍杭:金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路研究

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