據(jù)天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司“提升芯片良率和可靠性的方法”專利公布，申請公布日為2024年12月31日，申請公布號為CN119229936A。

本發(fā)明提供一種提升芯片良率和可靠性的方法，提供至少一個(gè)lot的晶圓，晶圓包括多個(gè)芯片，各個(gè)芯片上包含有多個(gè)包括閃存的存儲單元；進(jìn)行晶圓接受測試，記錄每片晶圓的存儲單元為編程狀態(tài)時(shí)的閾值電壓；把lot的編號、晶圓的編號以及對應(yīng)的晶圓的存儲單元為編程狀態(tài)時(shí)的閾值電壓生成附加文件；進(jìn)行良率測試和編程電壓調(diào)整：將附加文件代入第一良率測試，在一良率測試中繼承晶圓的存儲單元為編程狀態(tài)時(shí)的閾值電壓作為參數(shù)進(jìn)入之后的編程電壓調(diào)整流程；進(jìn)行編程電壓調(diào)整流程；進(jìn)行第二良率測試，在第二良率測試中根據(jù)測試結(jié)果調(diào)整閾值電壓的調(diào)整公式。本發(fā)明能夠根據(jù)工藝差異微調(diào)編程條件，以獲得最適合的工作條件，提升良率和可靠性。