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深圳平湖實驗室8英寸1200 V
增強
型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破
評論 ?
2025-12-22 09:31
AlGaN基遠紫外光源芯片發(fā)光效率
增強
關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展成果推介
AlGaN
遠紫外
光源芯片
發(fā)光效率
關(guān)鍵技術(shù)
研究
華中科技大學(xué)
十大進展
優(yōu)煒芯
評論 ?
2025-12-11 09:12
西安電子科技大學(xué)杜豐羽：基于SiGaOx界面工程
增強
的β-Ga2O3/4H-SiC異質(zhì)結(jié)的高溫雙波段紫外光電探測器陣列
評論 ?
2025-12-10 14:05
報告前瞻|晶通半導(dǎo)體劉丹：可靠、高效、易用”的
增強
型氮化鎵驅(qū)動EGaN Smart-Driver
評論 ?
2025-11-27 14:30
西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與
增強
電學(xué)性能的應(yīng)用
評論 ?
2025-10-31 09:45
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉：通過鎂插層
增強
氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能
評論 ?
2025-10-16 11:43
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓
增強
型功率器件與可靠性技術(shù)進展
評論 ?
2025-10-15 15:17
英諾賽科宣布第三代700V GaN
增強
型氮化鎵功率器件系列全面上市
評論 ?
2025-09-05 09:17
氮矽科技推出TOLL封裝的
增強
型硅基氮化鎵（GaN）晶體管
評論 ?
2025-06-24 14:48
大連理工大學(xué)團隊：通過提高晶體質(zhì)量
增強
β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性
評論 ?
2025-05-27 16:50
北京大學(xué)團隊成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A
增強
型GaN器件
評論 ?
2025-05-22 18:32
CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性
增強
研究
評論 ?
2025-05-19 11:02
歐洲投資銀行發(fā)起“科技?xì)W盟”項目，以
增強
AI、半導(dǎo)體競爭力
評論 ?
2025-05-19 08:29
北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實驗室、福州大學(xué)孫捷課題組：局域表面等離子體
增強
納米柱Micro-LED發(fā)光
評論 ?
2025-01-20 09:18
杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V
增強
型晶體管
評論 ?
2024-12-30 07:45
成都氮矽科技申請 N 面
增強
型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力
評論 ?
2024-12-19 15:43
安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以
增強
其針對人工智能數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合
評論 ?
2024-12-10 16:47
無錫博通申請半橋GaN
增強
型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)
評論 ?
2024-10-29 17:53
Facebook開發(fā)的首款
增強
現(xiàn)實AR眼鏡采用碳化硅材料，開拓元宇宙領(lǐng)域的新藍海市場
評論 ?
2024-09-01 17:24
我國攻克1200V以上
增強
型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)
評論 ?
2024-07-19 10:57
西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上
增強
型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)
評論 ?
2024-07-11 17:31
安森美完成收購SWIR Vision Systems，
增強
智能感知產(chǎn)品組合
評論 ?
2024-07-04 13:56
科技成果推介｜
增強
型GaN電力電子器件
評論 ?
2024-06-12 16:05
斯達半導(dǎo)取得功率模塊專利，
增強
功率半導(dǎo)體模塊的使用壽命
評論 ?
2024-05-31 08:21
呂堅院士團隊 l 3D打印莫來石
增強
的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料
評論 ?
2024-05-27 10:26
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN
增強
型GaN功率器件設(shè)計與仿真技術(shù)
評論 ?
2024-04-19 15:02
成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極
增強
型電力電子器件
評論 ?
2024-03-13 20:11
大阪公立大學(xué)梁劍波：
增強
GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實際器件應(yīng)用
評論 ?
2023-12-22 16:31
IFWS 2023│氮矽科技朱仁強：
增強
型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進展
評論 ?
2023-12-08 15:49
西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極
增強
型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究
評論 ?
2023-08-01 14:44
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