為緊抓化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)機(jī)遇，進(jìn)一步發(fā)揮珠海產(chǎn)業(yè)及應(yīng)用市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）將于2025年12月6-7日在珠海高新區(qū)香山會(huì)議中心組織召開(kāi)首屆“大灣區(qū)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用生態(tài)大會(huì)”。會(huì)議設(shè)有開(kāi)幕大會(huì)和化合物半導(dǎo)體材料論壇、化合物半導(dǎo)體功率器件與應(yīng)用論壇、化合物半導(dǎo)體芯片與封裝論壇、化合物半導(dǎo)體光電應(yīng)用創(chuàng)新論壇大會(huì)在內(nèi)四場(chǎng)平行論壇，將圍繞國(guó)家重大戰(zhàn)略和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展需求，邀請(qǐng)重量級(jí)專家、學(xué)者及產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企業(yè)代表深入探討上下游協(xié)同發(fā)展中的問(wèn)題，為新時(shí)期化合物半導(dǎo)體技術(shù)突破及產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略提供建議。

屆時(shí)，晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司創(chuàng)始人兼CEO劉丹將出席論壇，并將在“化合物半導(dǎo)體芯片及封裝論壇”分享《驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新提升氮化鎵器件穩(wěn)定性、可靠性及兼容性——“可靠、高效、易用”的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng) EGaN Smart-Driver》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！  

嘉賓簡(jiǎn)介

本科畢業(yè)于浙江大學(xué)，獲電氣工程與竺可楨學(xué)院榮譽(yù)學(xué)位；后于瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院蘇黎世分校（ETH Zurich）獲得微電子碩士與工商管理碩士學(xué)位。在歐洲半導(dǎo)體行業(yè)深耕十余年，曾在全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司Power Integrations擔(dān)任驅(qū)動(dòng)芯片高級(jí)系統(tǒng)架構(gòu)師及模擬IC設(shè)計(jì)師，在研發(fā)、項(xiàng)目管理、特別是功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)和系統(tǒng)架構(gòu)領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。于2020年底在中國(guó)深圳創(chuàng)立晶通半導(dǎo)體，并于2021年在瑞士設(shè)立歐洲研發(fā)中心。晶通半導(dǎo)體是一家創(chuàng)新型的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，致力于成為連接“歐洲硅谷”與“深圳制造”高效產(chǎn)業(yè)鏈的橋梁。公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）功率器件與高性能驅(qū)動(dòng)芯片的協(xié)同設(shè)計(jì)與系統(tǒng)集成，為客戶提供高效、可靠、易用的功率解決方案。

報(bào)告題目：驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新提升氮化鎵器件穩(wěn)定性、可靠性及兼容性——“可靠、高效、易用”的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng) EGaN Smart-Driver

報(bào)告摘要：驅(qū)動(dòng)集成增強(qiáng)型氮化鎵功率器件 (Driver integrated Emode GaN SiP) 相比分立增強(qiáng)型氮化鎵功率器件 (Discrete Emode GaN power device)在效率、可靠性、設(shè)計(jì)難易度上有優(yōu)勢(shì)。然而驅(qū)動(dòng)集成型氮化鎵器件提供廠商有限，且各廠家產(chǎn)品管腳兼容性差，客戶端普遍有供應(yīng)鏈安全以及成本的擔(dān)憂。另一方面，增強(qiáng)型氮化鎵控制器集成方案在小功率消費(fèi)應(yīng)用（例如PD快充）已經(jīng)廣泛使用，但由于受到封裝和散熱的限制，在100W以上應(yīng)用中，控制器集成方案比較少見(jiàn)。因此，分立增強(qiáng)型氮化鎵器件在市場(chǎng)上仍有廣泛需求。當(dāng)前分立增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)方案針對(duì)氮化鎵器件本身特性優(yōu)化有限，在效率，可靠性，設(shè)計(jì)難易度上的問(wèn)題仍待解決，以滿足更高功率等級(jí)以及更高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景的需求。動(dòng)態(tài)閾值電壓變化長(zhǎng)期以來(lái)是增強(qiáng)型氮化鎵，尤其是肖特基柵極EGaN應(yīng)用的一個(gè)挑戰(zhàn)，它對(duì)于開(kāi)關(guān)速度、損耗及可靠性有重要的影響。此外，增強(qiáng)型氮化鎵功率器件Ciss、Crss?。ù蠹s是同等規(guī)格硅基Super Junction MOSFET 十到二十分之一），因此需要的驅(qū)動(dòng)電流也小。另一方面由于柵極結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)型氮化鎵功率器件柵極漏電流較大，且隨工藝，電壓，溫度（PVT）變化大。因此相比于傳統(tǒng)Si MOSFET，柵極漏電的變化對(duì)于器件開(kāi)關(guān)速度（EMI特性）以及效率影響不能忽略。再者，氮化鎵功率器件Eon的損耗較大，工作在連續(xù)電流模式（CCM）損耗以及可靠性非常有挑戰(zhàn)，限制了增強(qiáng)型氮化鎵功率器件在工業(yè)級(jí)，更大功率應(yīng)用場(chǎng)景下的導(dǎo)入速度。在功率器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，電流型驅(qū)動(dòng)相比于電壓型驅(qū)動(dòng)在Ids電流變化時(shí)，米勒平臺(tái)電壓變化對(duì)開(kāi)關(guān)速度的影響較少。然而電流型驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜，尤其針對(duì)不同導(dǎo)通電阻器件，驅(qū)動(dòng)電流范圍要求大，因此電流型驅(qū)動(dòng)很難適配不同功率等級(jí)應(yīng)用。當(dāng)前使用傳統(tǒng)Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)EGaN的方案，需要阻容網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電壓的變換和開(kāi)關(guān)速度的控制，因此柵極環(huán)路面積和寄生大，容易產(chǎn)生柵極震蕩以及過(guò)充，開(kāi)關(guān)速度受限。EGaN Smart-Driver^® 增強(qiáng)型氮化鎵智能驅(qū)動(dòng)芯片，針對(duì)增強(qiáng)型氮化鎵特性深入優(yōu)化，為業(yè)界帶來(lái)全新的解決方案。用增強(qiáng)型氮化鎵器件+Smart-Driver^® 分立驅(qū)動(dòng)方案，提升可靠性，效率，易用性，解決增強(qiáng)型氮化鎵的痛點(diǎn)，達(dá)到甚至超越集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵器件SiP的性能。世界首款直驅(qū)GIT EGaN驅(qū)動(dòng)，兼容其他SGT EGaN廠商，終端客戶可以采用多家EGaN供應(yīng)商，降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)和成本。

附：化合物半導(dǎo)體芯片及封裝論壇日程

會(huì)議內(nèi)容 

會(huì)議主題：“中國(guó)‘芯’基地，灣區(qū)‘芯’未來(lái)”

會(huì)議時(shí)間：2025年12月6日（周六）-7日（周日）

會(huì)議地點(diǎn)：珠海高新區(qū)香山會(huì)議中心 

會(huì)議整體安排