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應用
重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備
方法
專利，提高開關速度與線性區(qū)能力
評論 ?
2025-04-18 20:05
標準 | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗
方法
立項
評論 ?
2025-04-18 15:52
標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗
方法
立項
評論 ?
2025-04-18 15:50
標準 | SiC MOSFET模塊局部放電試驗
方法
立項
評論 ?
2025-04-18 15:30
三安半導體“碳化硅功率器件的制備
方法
及其碳化硅功率器件”專利公布
評論 ?
2025-04-17 15:22
廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝
方法
專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度
評論 ?
2025-04-16 19:36
蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導體發(fā)光結構及其制備
方法
專利
評論 ?
2025-04-16 19:27
YS/T 1654-2023《氮化鎵化學分析
方法
痕量雜質(zhì)元素含量的測定 輝光放電質(zhì)譜法》標準解讀
評論 ?
2025-04-16 19:05
中芯國際申請半導體結構及其形成
方法
專利，提高半導體結構的電學性能
評論 ?
2025-04-08 17:34
北方華創(chuàng)“晶舟結構、半導體熱處理設備及其控制
方法
”專利公布
評論 ?
2025-04-07 19:05
標準 | AlN位錯密度/吸收系數(shù)2項測試
方法
形成委員會草案
評論 ?
2025-04-07 10:03
標準 | 《UIS應力下GaN HEMT在線測試
方法
》形成委員會草案
評論 ?
2025-04-07 10:00
江西譽鴻錦取得亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造
方法
專利
評論 ?
2025-04-02 17:39
標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗
方法
”征求意見
評論 ?
2025-03-25 15:24
山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光
方法
專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率
評論 ?
2025-03-21 15:31
江蘇超芯星半導體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光
方法
專利，顯著降低生產(chǎn)成本
評論 ?
2025-03-20 16:55
泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備
方法
”專利公布
評論 ?
2025-03-20 10:58
中芯北方取得半導體器件及其形成
方法
專利
評論 ?
2025-03-19 16:39
西湖大學工學院孔瑋團隊提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延
方法
評論 ?
2025-03-11 14:46
CASA與CSA共同立項《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗
方法
》等2項標準
評論 ?
2025-03-10 14:38
英飛凌科技申請功率半導體模塊裝置及其制作
方法
專利，實現(xiàn)材料固化形成固體層等操作
評論 ?
2025-02-24 16:44
新微半導體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結構及其校驗
方法
”專利公布
評論 ?
2025-02-19 11:45
比亞迪半導體“存儲器測試
方法
、存儲器測試裝置、存儲介質(zhì)和電子設備”專利公布
評論 ?
2025-02-17 11:20
紫光同芯“一種SGT器件及其制備
方法
”專利公布
評論 ?
2025-02-14 10:31
華虹宏力“提升芯片良率和可靠性的
方法
”專利公布
評論 ?
2025-02-11 16:59
UIS應力下GaN HEMT在線測試
方法
征求意見
評論 ?
2025-02-07 15:52
2項AlN拋光片測試
方法
征求意見
評論 ?
2025-02-07 15:31
華海清科“晶圓干燥裝置和晶圓干燥
方法
”專利公布
評論 ?
2025-02-06 11:13
捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備
方法
”專利公布
評論 ?
2025-02-05 15:01
基本半導體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備
方法
”專利公布
評論 ?
2025-01-07 14:55
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