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重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開(kāi)關(guān)速度與線性區(qū)能力

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對(duì)拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級(jí)老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請(qǐng)MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

蘇州長(zhǎng)光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

中芯國(guó)際申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

北方華創(chuàng)“晶舟結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體熱處理設(shè)備及其控制方法”專利公布

標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù)2項(xiàng)測(cè)試方法形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

江西譽(yù)鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法專利

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”征求意見(jiàn)

山東晶鎵申請(qǐng)一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

江蘇超芯星半導(dǎo)體申請(qǐng)一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產(chǎn)成本

泰科天潤(rùn)“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

西湖大學(xué)工學(xué)院孔瑋團(tuán)隊(duì)提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延方法

CASA與CSA共同立項(xiàng)《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗(yàn)方法》等2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法專利，實(shí)現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專利公布

比亞迪半導(dǎo)體“存儲(chǔ)器測(cè)試方法、存儲(chǔ)器測(cè)試裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

華虹宏力“提升芯片良率和可靠性的方法”專利公布

UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法征求意見(jiàn)

2項(xiàng)AlN拋光片測(cè)試方法征求意見(jiàn)

華海清科“晶圓干燥裝置和晶圓干燥方法”專利公布

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

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