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【W(wǎng)olfspeed白皮書(shū)】碳化硅功率模塊可靠性:Wolfspeed的功率循環(huán)與壽命建模
方法
(附下載鏈接)
Wolfspeed
白皮書(shū)
碳化硅
功率模塊
可靠性
功率循環(huán)
壽命建模
方法
評(píng)論 ?
2026-01-06 08:24
標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布 | 光治療用柔性O(shè)LED光源最小彎曲半徑測(cè)試
方法
標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,即將出版
評(píng)論 ?
2025-12-31 11:31
標(biāo)準(zhǔn) | 《基于感性負(fù)載的SiC功率模塊老化篩選試驗(yàn)
方法
》發(fā)布
評(píng)論 ?
2025-12-01 10:44
標(biāo)準(zhǔn) |《SiC MOSFET高濃度硫化氫試驗(yàn)
方法
》立項(xiàng)
評(píng)論 ?
2025-12-01 10:41
標(biāo)準(zhǔn) |《氫燃料電池車(chē)用碳化硅DC/DC變換器測(cè)試
方法
》立項(xiàng)
評(píng)論 ?
2025-11-26 14:52
廈門(mén)大學(xué)&廈門(mén)市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)基于氮化物表面電子態(tài)演化開(kāi)發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新
方法
評(píng)論 ?
2025-09-03 15:37
標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開(kāi)關(guān)可靠性試驗(yàn)
方法
》發(fā)布
評(píng)論 ?
2025-08-29 13:53
奕斯偉“定盤(pán)溝槽清潔裝置、清潔
方法
和研磨設(shè)備”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2025-07-28 13:59
奕斯偉“晶圓倒角裝置和晶圓倒角
方法
”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2025-07-24 09:39
中國(guó)科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”
方法
“長(zhǎng)出”高性能晶體管新材料
評(píng)論 ?
2025-07-22 08:26
標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)
方法
”形成委員會(huì)草案
評(píng)論 ?
2025-07-21 14:35
泰科天潤(rùn)“一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備
方法
”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2025-07-10 11:15
馳芯半導(dǎo)體“一種用于UWB的定時(shí)恢復(fù)
方法
及裝置”專(zhuān)利獲授權(quán)
評(píng)論 ?
2025-06-23 09:28
晶盛機(jī)電獲得發(fā)明專(zhuān)利授權(quán):“碳化硅晶錠激光切割
方法
及切割系統(tǒng)”
評(píng)論 ?
2025-06-18 15:05
標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試
方法
》立項(xiàng)
評(píng)論 ?
2025-06-18 14:26
標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試
方法
》立項(xiàng)
評(píng)論 ?
2025-06-18 14:22
甬矽電子獲得發(fā)明專(zhuān)利授權(quán):“半導(dǎo)體封裝
方法
和半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)”
評(píng)論 ?
2025-06-04 11:31
晶合集成獲得發(fā)明專(zhuān)利授權(quán):“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作
方法
”
評(píng)論 ?
2025-05-28 14:22
標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線(xiàn)測(cè)試
方法
》發(fā)布
評(píng)論 ?
2025-05-26 14:18
派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備
方法
及碳化硅晶圓襯底”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2025-05-22 18:12
標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試
方法
形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2025-05-20 13:54
標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù) 2項(xiàng)測(cè)試
方法
發(fā)布
評(píng)論 ?
2025-05-20 13:47
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓:基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量
方法
研究
評(píng)論 ?
2025-05-13 10:33
中科飛測(cè)“轉(zhuǎn)換關(guān)系獲取
方法
、檢測(cè)
方法
和相關(guān)設(shè)備”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2025-05-12 17:29
CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍:P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)
方法
評(píng)論 ?
2025-05-08 09:40
意見(jiàn)征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試
方法
標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2025-05-07 11:32
標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試
方法
形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2025-04-29 17:20
泰科天潤(rùn)“一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備
方法
”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2025-04-24 17:16
瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備
方法
專(zhuān)利,降低器件動(dòng)態(tài)損耗
評(píng)論 ?
2025-04-22 11:01
長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備
方法
”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2025-04-21 15:58
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